[发明专利]检测TFT阵列基板的设备及方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种检测TFT阵列基板的设备及方法。

背景技术

目前TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列的检测设备主要有两种：一种是电学检测设备，另一种是光学检测设备。

电学检测设备，如图1所示，是通过给TFT阵列基板101上的像素加电学信号，这样在TFT阵列基板101和调制器103之间就会形成电场，设备的光源102发出的光通过调制器103(Modulator)上的液晶到达Modulator的反光薄膜104上，此时Modulator103上的液晶会根据自己下方的电场大小而发生不同的偏转，液晶偏转的不同反射回去的光也就不同，设备的光接收器105(Camera)把返回的光存图并进行分析，根据反射回去的光的亮暗不同来判断是否不良。

具体的，目前TFT阵列基板的电学检测设备的Modulator结构如图2所示，分为四层：透明白玻璃层201、ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)导电层202、液晶分子层203、反光薄膜层204。其工作原理如图3所示，向Modulator103的ITO层202加250V～300V的电压，向TFT阵列基板101的像素电极上加载-18V～30V的电压，这样Modulator103和TFT阵列基板101之间便会产生电场，液晶分子在电场的作用下会发生偏转使其整齐排列从而使光线可以通过。向TFT阵列基板101上加入测试信号，如果其中的某个TFT器件有问题，其上方电场的强度就会减小，进而液晶分子偏转的角度发生改变，使反射回去的光线强度减小。

光学检测设备是通过将光线照射在TFT阵列基板上，由Camera进行接收并分析，通过分析收到的光的灰度值的不同来判断是否不良。

在实现上述检测TFT阵列基板的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

电学检测设备通过感知电场的不同进行判断，但一些不影响电学性的不良，电学检测设备就无法检测出来，可这些不良对像素的开口率却有影响；光学检测设备只能检测到像素表面的不良，对于电学性的不良无法测出。因此需要有两种设备才能检测TFT阵列基板上的所有不良，使得检测过程繁琐，检测效率不高。

发明内容

本发明的实施例提供一种检测TFT阵列基板的设备及方法，能够利用一台设备检测出TFT阵列基板上的电学性和光学性不良，简化了检测工序，提高了检测效率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种检测TFT阵列基板的设备，包括承载待检测TFT阵列基板的透光载台，所述透光载台的一侧设有光源，另一侧设有与所述透光载台平行的调制器(Modulator)；

所述光源发出的光线透过第一偏光片垂直照射到所述透光载台；

所述调制器包括：液晶层和分别位于液晶层两侧的两个透明基板层，并且其中一个远离所述透光载台的透明基板层为导电透明基板层，所述导电透明基板层上设有第二偏光片；

该设备还包括光接收器(Camera)，所述光接收器接收光源发射出的透过所述透光载台、待测TFT阵列基板和调制器的光线。

一种检测TFT阵列基板的方法，在透光载台的一侧设有光源，另一侧设有与所述透光载台平行的调制器；所述调制器包括：液晶层和分别位于液晶层两侧的两个透明基板层，并且其中一个远离所述透光载台的透明基板层为导电透明基板层，所述导电透明基板层上设有第二偏光片；

该检测方法包括：

在所述透光载台上承载待测TFT阵列基板；

在所述调制器所处空间形成使液晶分子发生偏转的电场；

将所述光源的光线透过第一偏光片垂直照射到所述透光载台；

接收透过所述透光载台、待测TFT阵列基板和调制器的光线。

本发明实施例提供的检测TFT阵列基板的设备及方法，检测时Modulator所处空间形成能够使液晶分子发生偏转的电场，光源发出的光线通过第一偏光片，然后光线穿过透光的载台，再穿过TFT阵列基板的TFT器件，穿过Modulator的透明基板层，由于液晶分子在电场作用下发生偏转整齐排列，光线或从中穿过，再穿过Modulator上的第二偏光片。到达Camera。

如果待测TFT阵列基板上的像素存在电学性的不良，就会使Modulator上的液晶分子偏转的角度发生变化，是光线无法正常通过，因而穿过该电学性不良像素上方液晶分子的光线就与正常的光线不同，Camera接收到的光线的强度就有所不同，根据所接收到光线的强度就能够找出待测TFT阵列基板出现不良的位置。