[发明专利]一种采用电阻温度补偿的亚阈基准源无效
| 申请号： | 200910236545.1 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101697086A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 骆莉;蔡晓伟 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100044 北京市西*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 电阻 温度 补偿 基准 | ||
1.一种采用电阻温度补偿的亚阈基准源，包括峰值电流镜电路(1)、负温度 系数电流产生电路(2)、基准电压输出电路(3)，其特征在于：通过峰值电流镜电 路(1)、负温度系数电流产生电路(2)产生两路负温度系数电流IA和IB，并将 这两路负温度系数电流进行叠加，流过基准电压输出电路(3)的阻值为正温度系数 的电阻R3，最后输出与温度近似无关的采用电阻温度补偿的亚阈基准源电压； 所述负温度系数电流产生电路(2)利用电阻R2随温度增大而增大，因此流过电阻 R2的电流为负温度系数电流IC和IB；其负温度系数电流IC为IA的镜像；
所述的峰值电流镜电路(1)，包括MOS管M1、M2、M3、M4，电阻R1； MOS管M1的源极连接到VDD，栅极连接到节点B，漏极连接到节点A，MOS 管M2的源极连接到VDD，栅极和漏极都连接到节点B，电阻R1连接在节点A 和第一节点C之间，MOS管M3的源极连接到GND，栅极连接到节点A，漏 极连接到第一节点C，MOS管M4的源极连接到GND，栅极连接到第一节点C， 漏极连接到节点B；
所述的负温度系数电流产生电路(2)，包括MOS管M5、M6、M7、M8、 M9，电阻R2；MOS管M5源极连接到VDD，栅极连接到所述的峰值电流镜电 路(1)的节点B，漏极连接到第二节点C，MOS管M6的源极连接到GND，栅极 连接到节点E，漏极链接到第二节点C，MOS管M7的源极连接到VDD，栅极 与漏极连接到节点D，晶体管M8的源极连接到节点E，栅极连接到第二节点C， 漏极连接到节点D，MOS管M9的源极连接到VDD，栅极连接到所述的峰值电 流镜电路(1)的节点B，漏极连接到节点E，电阻R2连接在节点E与GND之间；
所述的基准电压输出电路(3)，包括MOS管M 10、M 11，电阻R3；MOS管 M10的源极连接到VDD，栅极连接到所述的峰值电流镜电路(1)的节点B，漏极 连接到节点Vref，MOS管M 11的源极连接到VDD，栅极连接到所述的负温度 系数电流产生电路(2)的节点D，漏极连接到节点Vref，电阻R3连接在节点Vref 与GND之间；
2.根据权利要求1所述的采用电阻温度补偿的亚阈基准源，其特征在于： 所述的峰值电流镜电路(1)利用所述的电阻R1阻值的正温度系数特性产生负温度 系数的电流IA。
3.根据权利要求1所述的采用电阻温度补偿的亚阈基准源，其特征在于： 所述的基准电压输出电路(3)利用所述的电阻R3阻值的正温度系数特性和所述的 负温度系数电流产生电路(2)和峰值电流镜电路(1)产生的电流的负温度系数特 性来产生具有良好温度稳定性的基准电压输出。
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