[发明专利]一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法无效
| 申请号： | 200910237676.1 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101713788A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张跃;杨亚;齐俊杰;郭雯 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20;G01N3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 微米 原位 弯曲 下力 性能 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，其特征在于 该方法按如下步骤进行：
1)将单根一维纳米/微米材料用导电银胶固定在扫描探针显微镜 的针尖上；
2)控制扫描探针显微镜的驱动马达，让导电的基底接触单根一维 纳米/微米材料的另外一端，并利用导电银胶固定，此时一维纳米 /微米材料的两端都被很好的固定；
3)通过驱动马达进一步移动基底，被固定的单根一维纳米/微米 材料并会发生弯曲变形，其变形程度取决于基底与扫描探针显微 镜针尖的距离；
4)在一维纳米/微米材料发生弯曲形变的同时，通过在针尖和基 底上加载电压测量电流的方式实现对单根一维纳米/微米材料力 电性能的测试。
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