[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器

权利要求书

1.一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：

一砷化镓衬底；

一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；

一谐振腔结构，该谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；

其中谐振腔结构进一步还包括如下结构：

一下反射镜，该下反射镜生长在砷化镓缓冲层上，包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层；

一腔体下砷化镓层，该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上；

一有源区，该有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；

一腔体中砷化镓层，该腔体中砷化镓层生长在有源区上；

一势垒结构，该势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al_0.45Ga_0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为Al_XGa_1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；

一腔体上砷化镓层，该腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；

一上反射镜，该上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。

2.根据权利要求1所述的具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，其中下反射镜包括33对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层，上反射镜包括3对交替生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。

3.根据权利要求1所述的具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，其中有源区包括13对交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，其中有源区中的铟镓砷量子点的生长厚度为5个单分子层。

5.根据权利要求1-3任一项所述的具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，其中有源区中的砷化镓间隔层的生长厚度为20nm。

6.根据权利要求1-3任一项所述的具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，势垒结构中依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层的生长厚度依次为15nm、10nm、10nm以及90nm。

7.根据权利要求1-3任一项所述的具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，其下反射镜中的下反射镜砷化镓层和上反射镜中的上反射镜砷化镓层的生长厚度都为76nm，其下反射镜中的下反射镜砷化铝层和上反射镜中的上反射镜砷化铝层的生长厚度都为92nm。