[发明专利]晶片垂直退火的方法及其装置

权利要求书

1.一种晶片垂直退火的方法，其特征在于：它包括以下步骤：

(1)将晶片(4)放置在片架(3)上，然后将若干个片架(3)摞在一起；

(2)将摞在一起的片架(3)放置在托架(5)上，并将它们装入石英帽(6)和石英管(2)内，在石英帽(6)内装入半导体材料(8)，石英管(2)通过焊接点或焊接面(7)焊封在石英帽(6)上，制得晶片垂直放置装置；

(3)将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉(1)中；

(4)退火开始后，以1-10℃/分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片材料0.5-0.8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以1-10℃/分钟的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；

(5)将石英帽(6)或/和石英管(2)锯开取出晶片(4)，完成了晶片(4)的退火。

2.如权利要求1所述的晶片垂直退火的方法，其特征在于：所述半导体材料(8)为纯度是99.999％的锗、硅、磷或砷。

3.一种晶片垂直放置装置，其特征在于：它包括：石英管(2)、片架(3)、晶片(4)、托架(5)和石英帽(6)，晶片(4)放置在片架(3)上，若干个装有晶片(4)的片架(3)竖直摞在一起地放置在托架(5)上，石英帽(6)装在托架(5)的下端，装有晶片(4)的片架(3)、托架(5)和石英帽(6)的一部分焊封在石英管(2)内。

4.如权利要求3所述的晶片垂直放置装置，其特征在于：所述石英管(2)通过焊接点或焊接面(7)焊封在石英帽(6)上。

5.如权利要求4所述的晶片垂直放置装置，其特征在于：所述石英帽(6)装有半导体材料(8)。

6.如权利要求5所述的晶片垂直放置装置，其特征在于：所述半导体材料(8)为纯度是99.999％的锗、硅、磷或砷。

7.如权利要求3至6任一个权利要求所述的晶片垂直放置装置，其特征在于：所述片架(3)和托架(5)是由石英或石墨制成的。