[发明专利]一种基于共源极正反馈的双二阶单元

权利要求书

1.一种基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于，包括：

一第一级电流积分器，包括两个NMOS晶体管和一个电容，接收输入电流信号给电容充电，提供输出电流信号，形成第一级电流积分器；

一第二级电流积分器，包括两个NMOS晶体管和一个电容，接收第一级电流积分器输出的电流信号给电容充电，提供输出电流信号，形成第二级电流积分器；

一反馈单元，包括两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管，用于与第一级电流积分器和第二级电流积分器一起综合复数极点；以及

一电流源，提供该双二阶单元的支路电流。

2.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于，所述第一级电流积分器包括：

NMOS管M1a，该管的栅极标记为n7，漏极标记为n3，源极标记为n1，衬底接地电压GND；

NMOS管M1b，该管的栅极标记为n8，漏极标记为n4，源极标记为n2，衬底接地电压GND；以及

电容C1/2，一端接n1，另一端接n2。

3.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于，所述第二级电流积分器包括：

NMOS管M2a，该管的栅极标记为Vbp，漏极标记为n5，源极接n3，衬底接地电压GND；

NMOS管M2b，该管的栅极标记为Vbp，漏极标记为n6，源极接n2，衬底接地电压GND；以及

电容C2/2，一端接n3，另一端接n4。

4.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于，所述反馈单元包括：

PMOS管M3a，该管的栅极接n3，漏极接n7，源极和衬底接电源电压VDD；

PMOS管M3b，该管的栅极接n4，漏极接n8，源极和衬底接电源电压VDD；

NMOS管M4a，该管的栅极接n7，漏极接n7，源极和衬底接地电压GND；以及

NMOS管M4b，该管的栅极接n8，漏极接n8，源极和衬底接地电压GND。

5.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于，所述电流源包括：

电流源Ib1a，正端接n1，负端接地电压GND；

电流源Ib1b，正端接n2，负端接地电压GND；

电流源Ib2a，正端接电源电压VDD，负端接n5；以及

电流源Ib2b，正端接电源电压VDD，负端接n6。

6.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于：所述反馈单元与第一级电流积分器和第二级电流积分器一起确定了该双二阶单元中传输函数的复数极点。

7.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于：该双二阶单元的差分输入电流注入第一级电流积分器的输入节点n1和n2，该双二阶单元的差分输出电流从第二级电流积分器的输出节点n5和n6输出。

8.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于：该双二阶单元具有带内噪声整形特性，有效降低带内噪声，同时具有高带外线性特性，进而提高带外SFDR。

9.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于：所述第一级电流积分器的级间差分电容的值为C1/2。

10.根据权利要求1所述的基于共源极正反馈的双二阶单元，其特征在于：所述第二级电流积分器的级间差分电容的值为C2/2。