[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；

执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；

在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；

在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及

执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，

其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

执行第一硅化处理的步骤包括：

在衬底上沉积第一材料且进行退火，使第一材料在源极和漏极区发生硅化反应，从而形成第一金属硅化物层；以及，

执行第二硅化处理的步骤包括：

在接触孔中注入多晶硅；以及

在第一介电层上沉积第二材料且进行退火，使第二材料在栅极区以及接触孔中发生硅化反应，从而形成第二金属硅化物，

其中，选择第二硅化处理中的退火温度，使得第二材料实质上不会与源极和漏极区发生反应。

3.如权利要求2所述的方法，其中，第二硅化处理中的退火温度不高于第一硅化处理中的温度。

4.如权利要求2所述的方法，还包括：

在执行第一硅化处理之前，在栅极区上形成掩蔽层，以防止第一材料与栅极区发生反应；以及

在执行第二硅化处理之前，去除该掩蔽层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在衬底上沉积第一介电层的步骤包括：

在衬底上沉积第一介电层，然后使用化学机械抛光对该第一介电层进行研磨，直至露出所述掩蔽层。

6.如权利要求4所述的方法，其中，在接触孔中注入多晶硅的步骤包括：

在衬底上沉积多晶硅层，然后使用化学机械抛光对该多晶硅层进行研磨，直至露出所述掩蔽层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，栅极区包括栅极绝缘层以及多晶硅层，并且在栅极绝缘层与多晶硅层之间形成有金属层。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在执行第二硅化处理之后，在第一介电层上形成第二介电层，在该第二介电层中与栅极、源极、漏极区相对应的部位形成接触孔，并在接触孔中沉积金属，以形成连接线。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在该半导体衬底中形成的晶体管结构，所述晶体管结构包括栅极、源极和漏极区；

在源极和漏极区上形成的第一金属硅化物层；

在半导体衬底上形成的第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；

在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位中形成的接触孔；以及

在接触孔和栅极区中形成的第二金属硅化物，

其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在形成第二金属硅化物的过程中再次发生硅化反应。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，第一金属硅化物层在第一退火温度下形成，第二金属硅化物在不高于第一退火温度的第二退火温度下形成。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，栅极区包括依次形成的栅极绝缘层、金属层以及多晶硅层。

12.如权利要求9所述的半导体器件，还包括：

在第一介电层上形成的第二介电层；

在第二介电层中与栅极、源极、漏极区相对应的部位形成的接触孔；以及

在接触孔中形成的连接线。