[发明专利]一种超导平面电路的制备工艺

权利要求书

1.一种超导平面电路的制备工艺，其特征在于，包括步骤：

1)根据需要，取一块表面有导电层和超导薄膜层的衬底，在导电层表面形成由光刻胶构成的电路图形；

2)通过干法刻蚀或湿法刻蚀将导电层和超导层刻蚀成电路图形之后，去除电路表面的光刻胶；

3)在电路上需要保留导电层电极的位置手工涂覆光刻胶，之后进行烘焙；

4)通过干法刻蚀或湿法刻蚀对导电层进行刻蚀，之后去除光刻胶；

5)得成品。

2.如权利要求1所述的超导平面电路的制备工艺，其特征在于，所述步骤1)，首先对衬底进行表面清洁、涂胶、前烘，再在紫外、深紫外或电子束曝光机上利用刻有电路图形的掩模版进行曝光，之后进行显影、定影、后烘，将掩模版上的电路图形转移到导电层表面的光刻胶上。

3.如权利要求1所述的超导平面电路的制备工艺，其特征在于，所述步骤3)中手工涂覆光刻胶，涂覆的面积应符合与外电路的连接要求，通过目测来确定，之后进行烘焙。

4.如权利要求1所述的超导平面电路的制备工艺，其特征在于，所述衬底，是硅、硅/二氧化硅、锗、砷化镓，或是铝酸镧、氧化镁、钛酸锶、蓝宝石单晶衬底，厚度为0.05～1mm。

5.如权利要求1所述的超导平面电路的制备工艺，其特征在于，所述超导薄膜层，所用材料为单质、合金、简单化合物或氧化物。

6.如权利要求5所述的超导平面电路的制备工艺，其特征在于，所述超导薄膜层材料，为铌、铅、铌锆合金、铌钛合金、铌钛钽合金、铌锡合金、铌锗合金、二硼化镁；或钇钡铜氧、铊钡铜氧、镧锶铜氧、铋锶钙铜氧。

7.如权利要求1所述的超导平面电路的制备工艺，其特征在于，所述导电层，为金、银、铂或铜金属材料制作。