[发明专利]一维纳米结构、其制备方法及一维纳米结构作标记的方法

权利要求书

1.一种一维纳米结构，该一维纳米结构包含一种元素的至少两种同位素，该一维纳米结构由一维纳米结构片段组成，其特征在于，至少一个一维纳米结构片段包括所述元素的至少两种同位素，且该元素的至少两种同位素按一定的质量比均匀混合。

2.如权利要求1所述的一维纳米结构，其特征在于，所述一维纳米结构由至少两个一维纳米结构片段组成，且相邻的两个一维纳米结构片段的组成不同。

3.如权利要求2所述的一维纳米结构，其特征在于，所述相邻的两个一维纳米结构片段中的所述元素的同位素不同。

4.如权利要求2所述的一维纳米结构，其特征在于，所述相邻的两个一维纳米结构片段中的所述元素的同位素相同，该元素的同位素的质量比不同。

5.如权利要求1至4中任一项所述的一维纳米结构，其特征在于，所述一维纳米结构为碳纳米管、碳纳米线、氮化物纳米管、氮化物纳米线、氧化物纳米管或氧化物纳米线。

6.如权利要求1至4中任一项所述的一维纳米结构，其特征在于，所述元素为碳、硼、氮或氧。

7.一种一维纳米结构的制备方法，包括以下步骤：

提供反应源，该反应源包括两种以上的单一同位素；

提供一基底，并将该基底置入一反应室；以及

利用化学气相沉积法，将所述反应源中的至少两种以上的同一同位素于所述反应室中同时发生反应，于基底上生长至少一一维纳米结构片段。

8.如权利要求7所述的一维纳米结构的制备方法，其特征在于，所述利用化学气相沉积法得到掺有同位素的碳纳米管的步骤为：通过多次改变同时置于所述反应室中的反应源的组成，依次反应预定时间后，得到一生长于所述基底的掺有同位素的一维纳米结构，该一维纳米结构包括多个一维纳米结构片段。

9.如权利要求8所述的一维纳米结构的制备方法，其特征在于，所述改变同时置于所述反应室中的反应源的组成的方法为改变置于所述反应室中的反应源的种类。

10.如权利要求7所述的一维纳米结构的制备方法，其特征在于，所述改变同时置于所述反应室中的反应源的组成的方法为改变置于所述反应室中的反应源中的同位素的质量比。

11.如权利要求7所述的一维纳米结构的制备方法，其特征在于，所述一维纳米结构为碳纳米管；所述反应源为碳源气，该碳源气包括两种以上的单一碳元素的同位素；所述基底上沉积有催化剂。

12.一种使用一维纳米结构用作标记的方法，包括以下步骤：

提供多种已知拉曼峰值的一维纳米结构，每一种一维纳米结构为如权利要求1-6所述的一维纳米结构；

提供多种已知的待标记物，在该每个待标记物内植入所述一维纳米结构；

采用拉曼光谱仪检测所述植入有一维纳米结构的待标记物中的一维纳米结构的拉曼峰值；以及

根据检测到的一维纳米结构的拉曼峰值，识别所述待标记物的类型。

13.如权利要求12所述的使用一维纳米结构用作标记的方法，其特征在于，所述待标记物含有活性基团。

14.如权利要求13所述的使用一维纳米结构用作标记的方法，其特征在于，所述活性基团为羟基、羧基、氨基、酰基或硝基。

15.如权利要求12所述的使用一维纳米结构用作标记的方法，其特征在于，所述待标记物为DNA、蛋白质、葡萄糖、葡萄糖酸、淀粉、生物酶、山梨醇或有机胺。