[发明专利]陶瓷喷涂部件制造方法有效
| 申请号： | 200910241612.9 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102082071A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 康明阳 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 喷涂 部件 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，包括：
对基底表面进行处理，形成凸凹不平的表面；
在所述基底上形成的凸凹不平的表面上，形成陶瓷层；
对所述陶瓷层表面的有机物进行清洗；
对所述陶瓷层进行水合处理，在所述陶瓷层的表面形成疏水层。
2.根据权利要求1所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，所述对基底表面进行处理，形成凸凹不平的表面具体为：
对基底表面进行喷砂处理，形成粗糙度为Ra10-20μm的凸凹不平的表面。
3.根据权利要求1所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，在所述基底上形成的凸凹不平的表面上，形成陶瓷层具体为：
在所述基底上形成的凸凹不平的表面上，形成厚度为50-150μm的陶瓷层。
4.根据权利要求1所述的陶瓷喷涂部件的制造方法，其特征在于，对所述陶瓷层表面的有机物进行清洗具体为：
采用干冰固态颗粒在压缩空气的驱动下，冲击所述陶瓷层表面，对所述陶瓷层表面的有机物进行清洗。
5.根据权利要求4所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，所述干冰固态颗粒的直径为0.5mm-3mm。
6.根据权利要求1所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，对所述陶瓷层表面的有机物进行清洗具体为：
采用等离子体对所述陶瓷层表面的有机物进行清洗。
7.根据权利要求6所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，所述等离子体为氩气和氧气等离子体。
8.根据权利要求1所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，在对所述陶瓷层表面进行清洗之后、水合处理之前还包括：
将形成有所述陶瓷层表面的基底保存在净化的惰性气体环境中。
9.根据权利要求1所述的陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，对所述陶瓷层进行水合处理，在所述陶瓷层的表面形成疏水层之后还包括：
将陶瓷层表面形成有疏水层的基底进行干燥处理；
将经过干燥处理的所述基底保存在净化的惰性气体环境中。
10.根据权利要求1-9任一项所述的陶瓷喷涂部件的制造方法，其特征在于，所述疏水层的厚度为50μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910241612.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带法兰的滚珠丝杠螺母组件
- 下一篇：一种风扇
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
