[发明专利]一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法

权利要求书

1.一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，包括：

步骤1：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；

步骤2：对CV曲线通过数学变形得到C^-2同栅压之间的关系，作C^-2-V图；

步骤3：对C^-2-V求微分，利用公式获得N(W)-V的关系；

步骤4：利用公式获得W(V)-C的关系；

步骤5：由于C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图；

步骤6：在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。

2.根据权利要求1所述的测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

采用LCR表测量器件在100KHz频率下的电容-电压值，得到电压在-12至5V下器件的C-V曲线。

3.根据权利要求1所述的测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

采用数学分析软件，对测量得到的C-V曲线进行变形，通过数学变形得到C^-2同栅压之间的关系，作C^-2-V图。

4.根据权利要求1所述的测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

采用数学分析软件，对C^-2-V求微分，利用公式获得N(W)-V的关系。

5.根据权利要求1所述的测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：

采用数学分析软件，利用公式获得W(V)-C的关系。

6.根据权利要求1所述的测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，所述步骤5具体包括：

通过以上两个步骤得到的N(W)-V和W(V)-C的关系，以及C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图。

7.根据权利要求1所述的测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，所述步骤6包括：

假设刻蚀栅槽的深度为X，2DEG异质结界面到栅下表面距离为W，由C-V曲线测量推导得到W，由X+W＝(21-X)+2关系得到凹栅槽的深度X的值。