[发明专利]一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法无效
| 申请号： | 200910241697.0 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101710569A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 纪攀峰;李京波;闫建昌;刘乃鑫;刘喆;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 进行 掺杂 方法 | ||
1.一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：通入III族有机源和V族NH3；
步骤2：关闭III族有机源，通入SiH4或Cp2Mg进行掺杂；
步骤3：关闭SiH4或Cp2Mg，重复步骤1和2至所需要的外延层厚度。
2.根据权利要求1所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，步骤2中所述关闭III族有机源时，通入III族有机源的持续时间为10秒。
3.根据权利要求1所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，步骤3中所述关闭SiH4或Cp2Mg时，通入SiH4或Cp2Mg的持续时间为10秒。
4.根据权利要求1所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，在步骤2中所述关闭III族有机源，通入SiH4或Cp2Mg进行掺杂时，V族NH3持续供气不间断。
5.一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：通入III族有机源和Cp2Mg；
步骤2：关闭III族有机源和Cp2Mg，通入V族NH3进行供气；
步骤3：关闭V族NH3，重复步骤1和2至所需要的外延层厚度。
6.根据权利要求5所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，步骤2中所述关闭III族有机源和Cp2Mg时，通入III族有机源和Cp2Mg的持续时间为10秒。
7.根据权利要求5所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，步骤3中所述关闭V族NH3时，通入V族NH3的持续时间为10秒。
8.一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：通入III族有机源；
步骤2：关闭III族有机源，通入SiH4和V族NH3进行供气；
步骤3：关闭SiH4和V族NH3，重复步骤1和2至所需要的外延层厚度。
9.根据权利要求8所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，步骤2中所述关闭III族有机源时，通入III族有机源的持续时间为10秒。
10.根据权利要求8所述的对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，步骤3中所述关闭SiH4和V族NH3时，通入SiH4和V族NH3的持续时间为10秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
