[发明专利]一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法

权利要求书

1.一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，其特征是：首先将原料A、K、Fe和As，按摩尔比A∶K∶Fe∶As＝1-x∶x∶2∶2称量，A为Ba或Sr，0≤x≤0.5，放入球磨罐或研钵，在氩保护气氛下，将所述原料磨碎并混合均匀，制成先驱粉，或将混合均匀的原料物经500-1000℃烧结后的熟粉作为先驱粉；

再将适量的Ag粉或Pb粉添加到所述的先驱粉中，再次混合均匀，所述的Ag粉或Pb粉与A_1-xK_xFe₂As₂的质量比为0～0.5∶1，其中A为Ba或Sr，0≤x≤0.5；然后将掺有Ag或Pb的先驱粉压制成块，或填入金属管中，进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到块材或线材或带材；

最后，将加工成型的块材或线材或带材置于真空或氩保护气氛中，在500-1100℃的温度下烧结0.5-100小时，得到A_1-xK_xFe₂As₂的块材或线材或带材，A为Ba或Sr，0≤x≤0.5；

如果以混合均匀的原料物作为先驱粉，压制成块或填入金属管的过程须在氩保护气氛下进行。

2.如权利要求1所述的提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，其特征是：所述的Sr或者用SrAs替代，所述的Ba或者用BaAs替代，所述的K或者用KAs替代，所述的Fe或者用FeAs替代。