[发明专利]一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法

权利要求书

1.一种碳基场效应晶体管，包括导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，所述 导电通道为碳基材料，源、漏电极分别位于导电通道两端，栅介质层覆盖在源、漏电 极之间的导电通道上，栅电极位于栅介质层之上，其特征是，所述栅介质层是一层氧 化钇薄膜，该氧化钇薄膜是通过在源、漏电极之间的导电通道上先沉积一层金属钇薄 膜，然后用热氧化的方法将金属钇氧化成氧化钇而得到的。

2.如权利要求1所述的碳基场效应晶体管，其特征是，所述碳基材料为碳纳米管或石墨 烯。

3.如权利要求1所述的碳基场效应晶体管，其特征是，所述栅介质层的厚度为1～20纳米。

4.一种碳基场效应晶体管的顶栅介质的制备方法，所述碳基场效应晶体管以碳基材料为 导电通道，导电通道的两端分别为源、漏电极，在源、漏电极之间的导电通道上先沉 积一层金属钇薄膜，然后热氧化该金属钇薄膜，得到一层氧化钇薄膜作为顶栅介质。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征是，用电子束蒸发或者热蒸发或者磁控溅射的 方法沉积金属钇。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征是，所沉积的金属钇薄膜的厚度为1～10纳米。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征是，采用热板加热、烘箱加热或管式炉加热的 方法进行热氧化。

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征是，热氧化的温度为100～500摄氏度。

9.如权利要求4所述的制备方法，其特征是，热氧化的时间为1分钟～5小时。