[发明专利]一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置有效
| 申请号： | 200910242236.5 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101718487A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 盛方毓;冯泉林;闫志瑞;葛钟;陈海滨;库黎明;索思卓 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | F26B5/16 | 分类号： | F26B5/16;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 快速 干燥 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片清洗后的快速干燥方法，其特征在于：它包括以下步骤：将硅 片放入干燥槽，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝 室、加热室进入干燥槽干燥硅片，所述的冷凝室的温度控制在2-15℃之间。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗后的快速干燥方法，其特征在于：冷 凝室与加热室之间有一条接氮气的管道，该氮气的另一端接氮气气源。
3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗后的快速干燥方法，其特征是：冷凝 室具有异丙醇收集器，将液化的异丙醇集中收集。
4.一种用于权利要求1所述的硅片清洗后的快速干燥的装置，其特征在于： 它包括：以氮气管路将雾化室、冷凝室、加热控温室、干燥槽依次串联。
5.根据权利要求4所述的硅片清洗后的快速干燥的装置，其特征在于：在 氮气管路入口位置引入一条旁路氮气，将这条旁路管道连接在冷凝室和加热控温 室之间的三通上，使得氮气可以直接经过加热控温室通入干燥槽。
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