[发明专利]一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器

权利要求书

1.一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器，其特征在于，所述激 光器是一种在同一芯片上集成了至少两个分布反馈半导体激光器的集成光电子 器件，其结构为：

依次外延生长在N型衬底上的如下外延层：下包层、下波导层、多量子阱有 源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，在所述N型衬底上镀有N电 极，在所述欧姆接触层上镀有P电极；

以及，在所述上包层上的脊波导结构，在所述脊波导结构的两侧覆盖有SiO₂绝缘层；

以及，两段依次分别集成在所述脊波导结构两端上的第一DFB激光器段和 第二DFB激光器段，在所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段相连处设 置电隔离区；所述电隔离区的波导存在一个弯曲角，该弯曲角可以使得所述第一 DFB激光器段和第二DFB激光器段的激射光频率差为20～200GHz，并可以通 过调节第一DFB激光器段和第二DFB激光器段的电流来对所述激射光频率差进 行调谐；在该电隔离区没有所述P电极和所述欧姆接触层；

以及，在所述光栅层上有光栅结构。

2.根据权利要求1所述的一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器， 其特征在于，所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段具有相同周期的光栅 结构。

3.根据权利要求1所述的一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器， 其特征在于，所述第一DFB激光器段的长度为300～500μm，所述第二DFB激 光器段的长度为300～500μm，所述电隔离区的长度为30～50μm。

4.根据权利要求1所述的一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器， 其特征在于，所述脊波导结构中的脊波导的宽度为2～4μm，高度为1.3～1.6μm， 并且在制作过程中其刻蚀深度不穿透所述上包层。

5.一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器，其特征在于，所述激 光器是一种在同一芯片上集成了至少两个分布反馈半导体激光器的集成光电子 器件，其结构为：

依次外延生长在N型衬底上的如下外延层：下包层、下波导层、多量子阱有 源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，在所述N型衬底上镀有N电 极，在所述欧姆接触层上镀有P电极；

以及，在所述上包层上的脊波导结构，在所述脊波导结构的两侧覆盖有SiO₂绝缘层；

以及，两段依次分别集成在所述脊波导结构两端上的第一DFB激光器段和 第二DFB激光器段，在所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段之间增加 一个不含光栅结构的调相段，对光场进行调相，并且在所述第一DFB激光器段 与所述调相段之间、在所述调相段与所述第二DFB激光器段之间各增加一个所 述的电隔离区；所述电隔离区的波导存在一个弯曲角，该弯曲角可以使得所述第 一DFB激光器段和第二DFB激光器段的激射光频率差为20～200GHz，并可以 通过调节第一DFB激光器段和第二DFB激光器段的电流来对所述激射光频率差 进行调谐；在该电隔离区没有所述P电极和所述欧姆接触层；

以及，在所述光栅层上有光栅结构。

6.根据权利要求5所述的一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器， 其特征在于，在所述调相段采用脊波导结构，该脊波导宽度为2～4μm，高度为 1.3～1.6μm，并且在制作过程中其刻蚀深度不穿透所述上包层，该脊波导两侧覆 盖有SiO₂绝缘层。

7.根据权利要求5所述的一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器， 其特征在于，所述调相段的长度为100～500μm，两端电隔离区的长度为30～50 μm，并且所述电隔离区无P电极和欧姆接触层。

8.根据权利要求1或5所述的一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激 光器，其特征在于，所述弯曲波导双波长激光器的输出端面抗反射镀膜，控制光 的反射率在0.01％～10％之间。