[发明专利]调节Ni-Co-Mn-In合金的马氏相变和磁电阻效应的方法

权利要求书

1.一种Ni-Co-Mn-In变磁形状记忆合金，所述合金的化学通式Ni_xCo_qMn_xIn_z，其中：

x的范围为0-60；

y的范围为0-80，并且满足y≥x/2；

z的范围为0-50；

q的范围为0-15，并且满足95≤x+y+z+q≤105；

其特征在于，所述的Ni-Co-Mn-In变磁形状记忆合金的马氏相变温度为240K-300K。

2.根据权利要求1所述的Ni-Co-Mn-In变磁形状记忆合金，其特征在于，所述合金在1-5T磁场下的磁电阻幅度为50％-100％。

3.一种制备权利要求1或2所述Ni-Co-Mn-In变磁形状记忆合金的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)将配好的原材料Ni、Mn、In、Co放入电弧炉中抽真空，再用氩气清洗炉腔，之后将炉腔内充入氩气至0.5-1.5个大气压；最后电弧起弧，熔炼合金；

2)将熔炼好的合金退火，之后随炉冷却或者淬入液氮或冰水中，从而制备出Ni-Co-Mn-In单相样品；和

3)将制备出的单相样品在低于600℃、真空度小于10×10^-2Pa的条件下进行退火，退火时间为30分钟-72小时。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤3)中的退火温度为200-600℃。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中的退火是在800-1000℃、真空度小于10×10^-3Pa的条件下进行的，退火时间为30分钟-10天。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中的原材料Ni、Mn、In、Co的纯度大于99wt％。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中氩气的纯度大于99％，并且熔炼合金的温度为1500-2500℃。

8.一种磁电阻器件，其特征在于，所述磁电阻器件包括权利要求1或2所述的Ni-Co-Mn-In变磁形状记忆合金。

9.权利要求1或2所述的Ni-Co-Mn-In变磁形状记忆合金在制造磁电阻材料中的应用。