[发明专利]一种钕铁硼磁体、制备方法及应用该磁体的器件有效
申请号: | 200910243055.4 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102103917A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 颜世宏;闫文龙;于敦波;李红卫;胡权霞;李世鹏;袁永强 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钕铁硼 磁体 制备 方法 应用 器件 | ||
1.一种钕铁硼磁体,其特征在于:
它以通式表示,R代表选自除Gd之外的稀土元素中的一种或两种,其中27wt%≤ξ≤35wt%;0.5wt%≤θ≤3.5wt%,M1代表过渡族金属Cu、Al、Ge中的一种元素,含量0.05wt%≤k≤0.5wt%,M2为除Co、M1外的过渡族元素的一种或两种,含量为0≤y≤0.5wt%,B为元素硼,含量为0.9wt%≤m≤1.2wt%;余量为Fe及不可避免杂质。
2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体,其特征在于,所述磁体的氧含量控制在3000ppm以下。
3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体,其特征在于:R代表选自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y、Eu、Tb、Dy、Ho之中的一种或两种,含量29wt%≤ξ≤32wt%,优选Nd、Pr。
4.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体,其特征在于:其中0.55
5.根据据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体,其特征在于:其中1wt%≤θ≤2.5wt%。
6.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体,其特征在于:M1代表过渡族金属Cu、Al、Ge中的一种元素,0.05wt%≤k≤0.5wt%,优选0.15≤k≤0.25wt%。
7.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体,其特征在于:M2为为除Co、M1外的过渡族元素的一种或两种,优选Ga、Nb、Zr、Mn、Cr、Zn、Se、Mo、V、Ti、In、Sn、Sb、Pb、Hf中的一种或两种,含量优选为0≤y≤0.3wt%。
8.一种制备如权利要求1所述的磁体的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)制备母合金工序:将纯度大于99.9%的金属按照的配比进行配料后采用中频感应熔炼,将原料加热形成合金熔液,使钕铁硼熔液通过旋转的水冷金属轮甩成合金快冷厚带,其中R含量为27~35wt%,Gd含量0.55~2wt%,Co含量0.5~3.5wt%,M1含量0.05~0.5wt%,M2含量0~0.5wt%,元素Gd、Co、M1及M2通过复合添加,其中Gd、Co、M1为必选元素,M1为Cu、Al、Ge中的一种元素,M2含量可以为0;
2)制粉及取向成型工序:将步骤1)制备快冷厚带经氢破碎及气流磨后制成平均粒度为3~5μm的粉末,氧含量控制在1000ppm以下,经1.2T~2T的磁场中取向成型后经100~200MPa等静压;
3)烧结工序:在真空或者惰性气氛中烧结磁体,其烧结温度在1070~1110℃之间,烧结2~4h后进行风冷,其冷却速度在200~1200℃/h范围内;
4)热处理工序:一级热处理温度及时间为:700~950℃保温2~4h,冷却速度为400~1000℃/h,二级热处理温度及时间为:400~655℃保温2~4h,冷却速度为400~1000℃/h。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于步骤2)中经1.2T~2T的磁场中取向成型后经100~200MPa等静压后磁体密度控制在4.2g/cm3以上。
10.一种器件,其特征在于:应用了权利要求1~8所述的钕铁硼磁体。
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