[发明专利]光泵锁模薄片半导体激光器

权利要求书

1.光泵锁模薄片半导体激光器，采用V形谐振腔及泵浦光源(1)，谐振腔由出射端镜、中间反射镜、端面反射镜构成，其中，出射端镜采用输出耦合镜，中间反射镜采用安装在散热装置(4)上的半导体增益芯片，泵浦光源通过透镜组照射于半导体增益芯片，其特征在于：所述端面反射镜采用半导体可饱和吸收镜(5)，且半导体可饱和吸收镜包含可饱和吸收层(15)及布拉格反射镜层(16)；所述半导体增益芯片包含周期性多量子阱层和布拉格反射镜层(12)，其中周期性多量子阱层由交替的半导体量子阱有源层(10)和量子阱势垒层(11)构成。

2.如权利要求1所述的光泵锁模薄片半导体激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是800-810nm波长的半导体激光器；半导体增益芯片(3)中的周期性多量子阱层中的半导体量子阱有源层(10)为InGaAs，其中In含量为0.18-0.20，量子阱势垒层(11)为GaAs或AlGaAs，其中量子阱个数为6-16个；半导体增益芯片(3)的布拉格反射镜层(12)为26-28对GaAs/AlAs；输出耦合镜(7)为光学玻璃，镀有对1微米波长的激光部份透射的宽带介质膜；半导体可饱和吸收镜(5)中含有量子阱吸收区及布拉格反射镜层，量子阱吸收区为InGaAs/GaAs材料，为3-5个量子阱，其中In含量为0.18-0.20，布拉格反射镜层为23-28对GaAs/AlAs。

3.如权利要求1所述的光泵锁模薄片半导体激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是630-670nm半导体激光器；半导体增益芯片(3)中的周期性多量子阱层中的半导体量子阱有源层(10)及量子阱势垒层(11)为GaAs/AlGaAs；半导体增益芯片(3)的布拉格反射镜层(12)为26-28对GaAs/AlAs；输出耦合镜(7)为光学玻璃，镀有对850nm附近激光部份透射的宽带介质膜；半导体可饱和吸收镜(5)选取吸收波长850nm附近的GaAs/AlGaAs材料的吸收镜，为3-5个量子阱，布拉格反射镜层为23-28对GaAs/AlAs.

4.如权利要求1所述的光泵锁模薄片半导体激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是808nm半导体激光器；半导体增益芯片(3)中的周期性多量子阱层中的半导体量子阱有源层(10)及量子阱势垒层(11)为GaInNAs/GaAs；半导体增益芯片(3)的布拉格反射镜层(12)为26-28对GaAs/AlAs；输出耦合镜(7)为光学玻璃，镀有对1220nm附近激光部份透射的宽带介质膜；半导体可饱和吸收镜(5)选取吸收波长1220nm附近的GaInNAs/GaAs材料的吸收镜，为3-5个量子阱，布拉格反射镜层为23-28对GaAs/AlAs.

5.如权利要求1所述的光泵锁模薄片半导体激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是976nm半导体激光器；半导体增益芯片(3)中的周期性多量子阱层中的半导体量子阱有源层(10)及量子阱势垒层(11)为InGaAsP/InP；半导体增益芯片(3)的布拉格反射镜层(12)为26-28对GaAs/AlAs；输出耦合镜(7)为光学玻璃，镀有对1550nm附近激光部份透射的宽带介质膜；半导体可饱和吸收镜(5)选取吸收波长1550nm附近的InGaAsP/InP材料的吸收镜，为3-5个量子阱，布拉格反射镜层为23-28对GaAs/AlAs.

6.如权利要求1至5中任一项所述的光泵锁模薄片半导体激光器，其特征在于：所述散热装置(4)由热沉(18)、半导体制冷芯片(19)和水循环装置(20)三者依次排列组成。