[发明专利]一种单铝的金属熔丝处理方法无效
| 申请号： | 200910243498.3 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110640A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 叶文正;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单铝的金属熔丝处理方法，其特征在于，包括：
对晶圆钝化层上涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出金属熔丝区钝化层的第一开口；
对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第一开口区域中的钝化层；
对钝化层上重新涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出压焊点区域钝化层的第二开口；
重新对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第二开口区域中的钝化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属熔丝区上的钝化层的开口尺寸与压焊点上的钝化层的开口尺寸不一致。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对晶圆进行气体刻蚀的时间由金属熔丝区上的钝化层的开口尺寸成正比；
并且，所述重新对晶圆进行气体刻蚀的时间由压焊点上的钝化层的开口尺寸成正比。
4.一种单铝的金属熔丝处理方法，其特征在于，包括：
对晶圆钝化层上的光刻胶进行曝光和显影处理，得到露出熔丝区和压焊点上的钝化层的开口，其中，露出金属熔丝区上钝化层的开口尺寸与露出压焊点上钝化层的开口一致；
对晶圆进行气体刻蚀，去除所述开口区域的钝化层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对晶圆进行气体刻蚀的时间以及刻蚀气体的浓度与所述开口的尺寸成正比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
