[发明专利]绝缘栅双极型晶体管芯片制造方法及装置

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管芯片制造方法，其特征在于，包括：

在对硅衬底中已研磨或抛光的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；

对所述硅衬底未研磨或抛光的背面进行研磨或抛光；并

在背面研磨或抛光后的硅衬底的背面增加电阻率不高于预设电阻率值的衬底支撑片或支撑层；

对背面增加有所述衬底支撑片或支持层的硅衬底的正面进行腐蚀处理；

控制背面增加的所述衬底支撑片或支持层向硅衬底进行扩散，在硅衬底中生成P型离子扩散层；

对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层进行外层封装处理，生成绝缘栅双极型晶体管芯片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对背面增加有所述衬底支撑片或支持层的硅衬底的正面进行腐蚀处理，包括：

对背面增加有所述衬底支撑片或支持层的硅衬底的正面依次进行氧化层腐蚀、沟槽腐蚀、栅氧化、多晶溅积与腐蚀、源扩散、接触孔腐蚀及金属与钝化层溅积处理。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层进行外层封装处理，包括：

对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层依次进行研磨或抛光，以及金属层溅积、合金操作。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在背面研磨或抛光后的硅衬底的背面增加电阻率不高于预设电阻率值的衬底支撑片或支撑层，包括：

增加电阻率不高于预设电阻率值的硅片和/或硅薄膜作为所述衬底支撑片或支撑层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述衬底支撑片中掺杂有硼、磷和砷元素。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，增加电阻率不高于预设电阻率值的硅片和/或硅薄膜作为所述衬底支撑片或支撑层，包括：利用硅键合SDB技术增加硅片作为所述衬底支撑片或支撑层；和/或

利用薄膜溅积CVD Poly技术增加硅薄膜作为所述衬底支撑片或支撑层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，控制背面增加的所述衬底支撑片或支持层向硅衬底进行扩散，在硅衬底中生成P型离子扩散层，包括：通过加热操作控制所述P型离子扩散层的深度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述P型离子扩散层的深度由所述加热操作的温度及加热时间确定。

9.一种绝缘栅双极型晶体管芯片制造方法，其特征在于，包括：

在对硅衬底中已研磨或抛光的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；

对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理；

对所述硅衬底未研磨或抛光的背面进行研磨或抛光；并

在背面研磨或抛光后的硅衬底的背面增加电阻率不高于预设电阻率值的衬底支撑片或支撑层；

控制背面增加的所述衬底支撑片或支持层向硅衬底进行扩散，在硅衬底中生成P型离子扩散层；

对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层进行外层封装处理，生成绝缘栅双极型晶体管芯片。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理，包括：

对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面依次进行氧化层腐蚀、沟槽腐蚀、栅氧化、多晶溅积与腐蚀、源扩散、接触孔腐蚀及金属与钝化层溅积处理。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层进行外层封装处理，包括：

对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层依次进行研磨或抛光，以及金属层溅积、合金操作。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在背面研磨或抛光后的硅衬底的背面增加电阻率不高于预设电阻率值的衬底支撑片或支撑层，包括：

增加电阻率不高于预设电阻率值的硅片和/或硅薄膜作为所述衬底支撑片或支撑层。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，控制背面增加的所述衬底支撑片或支持层向硅衬底进行扩散，在硅衬底中生成P型离子扩散层，包括：通过加热操作控制所述P型离子扩散层的深度。