[发明专利]EMI减小系统有效

专利信息
申请号: 200910243572.1 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN101783585A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 郑儒富;景卫兵;刘柳胜;程宝洪 申请(专利权)人: 美芯晟科技(北京)有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人: 陈霁
地址: 100190 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: emi 减小 系统
【权利要求书】:

1.一种EMI减小系统,包括基准电压VBG和输出信号FOUT,以及包括电阻编码电路、控制信号产生电路、电压斜坡产生电路和比较整形电路;

电阻编码电路接收基准电压VBG及来自控制信号产生电路的控制信号S1、S2、S3和S4,利用电阻编码方式产生一个抖动基准电压VREF1,该抖动基准电压VREF1由一个与基准电压VBG相关的最低电压VBG1和另一个受控制信号S1、S2、S3和S4控制而周期性变化的抖动电压组成;电压斜坡产生电路用于产生斜坡信号VRAMP并基于所述输出信号FOUT控制该斜坡信号VRAMP的峰值电压;

比较整形电路用于比较所述抖动基准电压VREF1与所述斜坡信号VRAMP电压大小,并基于该比较结果产生所述输出信号FOUT;

控制信号产生电路接收所述输出信号FOUT,并根据该输出信号FOUT产生所述控制信号S4、S3、S2和S1;

由此得到频率抖动的所述输出信号FOUT。

2.如权利要求1所述的一种EMI减小系统,其特征在于,还包括基准电压产生电路,该基准电压产生电路用于产生基准电压VBG。

3.如权利要求1所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述控制信号产生电路包括逻辑编码电路和计数器;

所述计数器用于对其接收到的所述输出信号FOUT分频;

所述逻辑编码电路接收由该计数器分频后的信号,并根据该信号产生所述控制信号S4、S3、S2和S1。

4.如权利要求3所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述逻辑编码电路由门电路构成。

5.如权利要求1所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述电阻编码电路包括误差比较器EA1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一晶体管M1、第二晶体管M2和电阻开关网络;

该第一电阻R1与该第二电阻R2串联后连接至该电阻开关网络输入端;

该误差放大器EA1一端接收所述基准电压VBG,另一端连接至第一电阻R1与第二电阻R2的连接点,从而使该连接点电压等于所述基准电压VBG;

该第一晶体管M1与第一电阻R1串联,该第二晶体管M2与电阻开关网 络串联,且该第一晶体管M1与第二晶体管M2构成电流镜,以便该第二晶体管M2成比例复制流经该第一晶体管M1电流;

该电阻开关网络根据该控制信号S1、S2、S3和S4周期性改变其电阻值,以便其输出电压随该控制信号周期性变化。

6.如权利要求5所述的一种EM I减小系统,其特征在于,所述抖动基准电压VREF1的最低电压VBG1与所述基准电压VBG相关关系为 

7.如权利要求5所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述电阻开关网络采用8421电阻编码方法。

8.如权利要求1所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述电压斜坡产生电路包括第三晶体管M3、电容C1和第四晶体管M4;

该第三晶体管M3与第一晶体管M1和第二晶体管M2构成电流镜,并与电容C1串联,以便该第三晶体管M3通过成比例复制该第一晶体管M1电流而对电容C1充电;

该第四晶体管M4源极、漏极分别与该电容C1两端相连,用于控制该电容C1充电和放电,从而在该电压斜坡产生电路输出端产生周期性振荡的斜坡信号VRAMP。

9.如权利要求8所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述第四晶体管M4接收所述输出信号FOUT,并通过该输出信号FOUT控制该第四晶体管M4开启和关闭,从而完成对电容C1充放电。

10.如权利要求1所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述比较整形电路包括比较器CMP;

该比较器CMP用于比较其接收到的所述斜坡信号VRAMP电压与所述抖动基准电压VREF1大小,从而得到频率跟随抖动基准电压VREF1变化的所述输出信号FOUT。

11.如权利要求10所述的一种EMI减小系统,其特征在于,所述比较整形电路包括偶数个串联反相器,该偶数个串联反相器用于对所述比较器CMP输出信号进行整形。

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