[发明专利]一种清洗半导体中的聚合物的方法有效
| 申请号： | 200910243709.3 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102107196A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刁宇飞;林国胜;宋磊;蔡新春;华文森 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 半导体 中的 聚合物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洗半导体中的聚合物的方法，其特征在于：包括：
将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，由所述冲洗槽底部向上喷水，直到溢水，使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间，再将所述水排放；
从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放；
其中，所述水为去离子水。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间具体为：
将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，使得所述水持续溢出所述冲洗槽5～10分钟。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述使得所述水持续溢出所述冲洗槽5～10分钟具体为：使得所述水持续溢出所述冲洗槽5分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放具体为：
从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放，如此反复8～10次。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放，如此反复8次。
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