[发明专利]用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法

权利要求书

1.一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其特征在于，所述间隔层为非两性有机材料。

2.如权利要求1所述的磁性多层膜，其特征在于，所述自由层包括多个自由磁层和在相邻自由磁层之间的中间层，该中间层为非两性有机材料。

3.如权利要求1或2所述的磁性多层膜，其特征在于，所述非两性有机材料包括绝缘的非两性有机材料、导电的非两性有机材料或半导体性质的非两性有机材料，其中，

所述绝缘的非两性有机材料包括三聚氰胺、六溴苯、芳香烃、并苯类、非两性的聚烯类、C₆₀，

所述导电的非两性有机材料包括噻吩类化合物、聚噻吩化合物或聚乙炔，

所述半导体性质的的非两性有机材料包括不带有长脂肪链的卟啉类化合物或不带有长脂肪链的酞菁类化合物，其中所述长脂肪链是指碳原子个数大于5的脂肪链。

4.如权利要求1所述的磁性多层膜，其特征在于，所述被钉扎层和所述自由层为由磁性有机材料制成的单个磁层，所述磁性有机材料包括含金属元素的腈类化合物、五氰基铁镍、普鲁士蓝、含金属元素的羧酸盐、二茂铁或包裹铁磁纳米无机颗粒的非磁有机材料。

5.如权利要求1所述的磁性多层膜，其特征在于，所述被钉扎层包括第一和第二被钉扎磁层以及夹在该第一和第二被钉扎磁层之间的反平行耦合层，其中所述第一和第二被钉扎磁层由磁性有机材料制成，所述磁性有机材料包括含金属元素的腈类化合物、五氰基铁镍、普鲁士蓝、含金属元素的羧酸盐、二茂铁或包裹铁磁纳米无机颗粒的非磁有机材料。

6.一种制造权利要求1所述的磁性多层膜的方法，包括：

步骤1)：沉积所述被钉扎层；

步骤2)：形成所述间隔层，其中所述间隔层为非两性有机材料；以及

步骤3)：沉积所述自由层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述非两性有机材料包括绝缘的非两性有机材料、导电的非两性有机材料或半导体性质的非两性有机材料，其中，

所述绝缘的非两性有机材料包括三聚氰胺、六溴苯、芳香烃、并苯类、非两性的聚烯类、C₆₀，

所述导电的非两性有机材料包括噻吩类化合物、聚噻吩化合物或聚乙炔，

所述半导体性质的的非两性有机材料包括不带有长脂肪链的卟啉类化合物或不带有长脂肪链的酞菁类化合物，其中所述长脂肪链是指碳原子个数大于5的脂肪链。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤2)包括通过自组装、热蒸镀，电子束蒸镀、有机分子束外延或激光脉冲沉积法形成所述间隔层。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤1)包括：通过自组装、热蒸镀，电子束蒸镀、有机分子束外延或激光脉冲沉积法形成被钉扎层；

所述步骤3)包括通过自组装、热蒸镀，电子束蒸镀、有机分子束外延或激光脉冲沉积法形成自由层；

其中所述被钉扎层和自由层为用磁性有机材料制成的单个磁层，该磁性有机材料包括含金属元素的腈类化合物、五氰基铁镍、普鲁士蓝、含金属元素的羧酸盐、二茂铁或包裹铁磁纳米无机颗粒的非磁有机材料。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤1)包括：

步骤11)：通过自组装、热蒸镀，电子束蒸镀、有机分子束外延或激光脉冲沉积法形成磁性有机材料的第一被钉扎磁层；

步骤12)：沉积反平行耦合层；以及

步骤13)：通过自组装、热蒸镀，电子束蒸镀、有机分子束外延或激光脉冲沉积法形成磁性有机材料的第二被钉扎磁层；

其中所述磁性有机材料包括含金属元素的腈类化合物、五氰基铁镍、普鲁士蓝、含金属元素的羧酸盐、二茂铁或包裹铁磁纳米无机颗粒的非磁有机材料。