[发明专利]一种CMOS集成电路抗辐照加固电路有效
| 申请号： | 200910244519.3 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102118152A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/007 | 分类号： | H03K19/007;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 集成电路 辐照 加固 电路 | ||
1.一种CMOS集成电路抗辐照加固电路，其特征在于，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管，一个为n型沟道场效应晶体管(102)，一个为p型沟道场效应晶体管(103)。
2.根据权利要求1所述的CMOS集成电路抗辐照加固电路，其特征在于，所述逻辑门电路(100)和所述冗余逻辑门电路(101)电路结构相同，且二者均是一端接电源电压，另一端接地。
3.根据权利要求2所述的CMOS集成电路抗辐照加固电路，其特征在于，所述逻辑门电路(100)和所述冗余逻辑门电路(101)二者所接的电源电压不相同。
4.根据权利要求1所述的CMOS集成电路抗辐照加固电路，其特征在于，所述n型沟道场效应晶体管(102)的阈值电压为Vtn，所述p型沟道场效应晶体管(103)的阈值电压为Vtp，冗余逻辑门电路(101)的电源电压VDD2＝VDD1+|Vtp|-Δ，冗余逻辑门电路(101)的地电压GND2＝GND1-Vtn+Δ，VDD2-GND2在冗余逻辑门电路(102)的正常工作电压范围之内，Δ的正常工作电压范围在0.01V至0.1V之间。
5.根据权利要求1所述的CMOS集成电路抗辐照加固电路，其特征在于，所述n型沟道场效应晶体管(102)和所述p型沟道场效应晶体管(103)的栅漏短接。
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