[发明专利]一种制备硅基纳米柱阵列的方法无效
| 申请号： | 200910244521.0 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102115028A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;岳会会;陈晨;刘新宇;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 阵列 方法 | ||
1.一种制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，该方法包括：
A、配置氢氟酸基腐蚀液；
B、利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀；
C、利用酸溶液清洗硅片，去除表面金属颗粒；
D、利用氢氟酸对硅片进行漂洗，形成纳米柱阵列。
2.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤A中所述氢氟酸基腐蚀液是用体积比为1∶1的氢氟酸、硝酸盐溶液配置的。
3.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤A中所述氢氟酸基腐蚀液中氢氟酸浓度为4.6M。
4.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤B中所述硅衬底是纯度大于99.9999％的太阳能级硅衬底，或者是纯度大于99.9999999999％的集成电路级硅衬底，或者是N型掺杂的硅衬底，或者是P型掺杂的硅衬底，或者是晶面指数为(100)的硅衬底。
5.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤B中所述利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀，是在腐蚀时将腐蚀液置于防酸装置中，腐蚀时间为10分钟～5小时，腐蚀液温度为20℃～50℃，并进行搅拌以保持浓度一致。
6.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤C中所述利用酸溶液清洗硅片之前，进一步将腐蚀过的硅衬底先利用去离子水清洗2分钟～3分钟。
7.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤C中所述利用酸溶液清洗硅片，是利用硝酸溶液将硅片浸泡至少1小时，以去除表面的金属层。
8.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤C中所述利用酸溶液清洗硅片之后，进一步利用去离子水清洗2分钟～3分钟。
9.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤D中所述利用氢氟酸对硅片进行漂洗形成纳米柱阵列，是将表面存在氧化层的硅微米柱阵列浸泡在稀释的氢氟酸溶液中，漂掉表面的氧化硅。
10.根据权利要求1所述的制备硅基纳米柱阵列的方法，其特征在于，步骤D中所述利用氢氟酸对硅片进行漂洗形成纳米柱阵列，所用的氢氟酸溶液包括所有的稀释比例。
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