[发明专利]半绝缘柱超结MOSFET结构无效
| 申请号： | 200910244530.X | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117830A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李俊峰;钟汇才;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 柱超结 mosfet 结构 | ||
1.一种半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，该结构包括：
衬底重掺杂区(8)；
位于衬底重掺杂区(8)之上的外延漂移区(9)；
位于衬底重掺杂区(8)之上且分别位于外延漂移区(9)两侧的半绝缘柱区(7)；
在外延漂移区(9)上部两侧分别形成的阱区(6)；
在阱区(6)上部形成的源区(4)和阱接触浓注入区(5)；
在外延漂移区(9)之上且位于两个源区(4)之间的栅极(1)；
覆盖于栅极(1)及源区(4)、阱接触浓注入区(5)和半绝缘柱区(7)之上的绝缘层(2)；以及
位于栅极(1)两侧可以向源区(4)和阱接触重注入区(5)施加电位的接触孔(3)。
2.根据权利要求1所述的半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，所述半绝缘柱区(7)是单一材料结构，或者是半绝缘材料和绝缘材料的复合结构。
3.根据权利要求2所述的半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，所述半绝缘柱区(7)是半绝缘材料和绝缘材料的复合结构时，半绝缘材料层位于靠外延漂移区(9)的一侧。
4.根据权利要求1、2或3所述的半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，所述半绝缘材料为掺氧多晶硅，该掺氧多晶硅中氧原子含量在15～35％之间。
5.根据权利要求1所述的半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，当该结构用于纵向N型DMOSFET结构时，在外延漂移区(9)进行N型掺杂。
6.根据权利要求1所述的半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，当该结构用于纵向P型DMOSFET结构时，在外延漂移区(9)进行P型掺杂。
7.根据权利要求5或6所述的半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，该纵向N型或P型DMOSFET结构是平面型结构，或者是槽栅结构。
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