[发明专利]窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200910244847.3 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740648A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张建军;尚泽仁;倪牮;曹宇;王先宝;赵颖;耿新华 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 窗口 型微晶硅锗 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N+层和金属背电极，其特征在于：窗口层为p型微晶硅锗薄膜。
2.一种如权利要求1所述窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池的制备方法，采用甚高频等离子增强化学气相沉积设备制备，其特征在于制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、氟化锗、硼烷和氢气的条件下，沉积p型微晶硅锗薄膜。
3.根据权利要求2所述窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述带有透明导电膜的玻璃衬底厚度为0.5毫米-1.5毫米，镀有的透明导电薄膜为ZnO膜、SnO2膜或SnO2-ZnO复合膜。
4.根据权利要求21所述窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述反应气体硅烷、氟化锗、硼烷和氢气的流量为：硅烷(5-10)sccm；氟化锗(0.5-2.0)sccm；硼烷(0.05-0.3)sccm；氢气(100-200)sccm。
5.根据权利要求21所述窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述沉积p型微晶硅锗薄膜的工艺参数为：辉光激励频率70MHz；辉光功率密度(100-500)毫瓦/cm2；反应气体压强大于0.3Torr；衬底表面温度150℃-220℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
