[发明专利]一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，其特征在于包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10^-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅锗薄膜。

2.根据权利要求1所述采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，其特征在于：所述带有T的玻璃衬底G厚度为1.5mm-2.0mm，镀有的透明导电薄膜T为ZnO膜、SnO₂膜或SnO₂-ZnO复合膜。

3.根据权利要求1所述采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，其特征在于：所述反应气体硅烷和锗烷的流量为：：硅烷(5-10)sccm、锗烷(0.5-1.0)sccm，稀释气体氢气的流量为：(100-200)sccm、氦气与氢气的流量比为1∶1～5。

4.根据权利要求1所述采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，其特征在于：所述沉积微晶硅锗薄膜的工艺参数为：辉光激励频率13.56MHz-100MHz；辉光功率密度0.1W/cm²-0.6W/cm²；反应气体压强60Pa-180Pa；衬底表面温度100℃-200℃。