[发明专利]一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统

权利要求书

1.一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统，其特征在于，包括有真空的溅射室，所述溅射室内设置有平面溅射源和衬底，所述平面溅射源与外接电源相连接，所述衬底位于平面溅射源的上方且接地，所述衬底上用于放置待镀膜的样品；

所述平面溅射源包括从上到下依次互相连接的溅射靶材、铜背板、铁质调控板和磁铁系统，所述铁质调控板是厚度为0.5mm～2.0mm的铁质薄板。

2.如权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于，包括有真空的溅射室(1)和装片室(2)，所述溅射室(1)和装片室(2)之间设置有闸板阀(20)，所述溅射室(1)内设置有第一平面溅射源(11)和第二平面溅射源(12)，所述第一平面溅射源(11)和第二平面溅射源(12)分别与外接电源(30)相连接，所述第一平面溅射源(11)和第二平面溅射源(12)的上方设置有衬底(13)，所述衬底(13)与加热器(14)相连接；

所述第一平面溅射源(11)包括有从上到下依次互相连接的第一靶材(111)、铜背板(112)、铁质调控板(113)以及由多个磁铁组成的磁铁系统(114)；

所述第二平面溅射源(12)包括有从上到下依次互相连接的第二靶材(121)、铜背板(112)、铁质调控板(113)以及由多个磁铁组成的磁铁系统(114)；

所述装片室(2)内设置有具有多层结构的样品架(21)，所述装片室(2)外壁上与所述样品架(21)相对应的位置上插入有样品推拉杆(22)。

3.如权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述溅射室(1)和装片室(2)外壁上分别开有至少一个抽气口(16)，所述抽气口(16)与外部的抽气系统相连接。

4.如权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述溅射室(1)外还设置有等离子体发射谱检测仪(15)，所述等离子体发射谱检测仪(15)的检测头位于所述溅射室(1)内。

5.如权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述溅射室(1)内还装有线性离子源(17)。

6.如权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述第一靶材(111)为锌铝Zn-Al合金靶材或者氧化锌ZnO:Al₂O₃陶瓷靶材，所述第二靶材(121)为铝Al靶材，所述衬底(13)为薄膜太阳电池。

7.如权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述衬底(13)位于所述第一平面溅射源(11)和第二平面溅射源(12)的正上方，所述第一平面溅射源(11)和第二平面溅射源(12)之间设置有隔离板。

8.如权利要求7所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述溅射室(1)中具有一个可左右往返运行的小车，该小车上设置有所述加热器(14)和用于放置衬底(13)的样品托。

9.如权利要求2至7中任一项所述的磁控溅射系统，其特征在于，所述样品架(21)的顶部与一个升降装置(23)相连接。