[发明专利]超浅结结构的形成方法与PMOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种超浅结的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区；

对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；

对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，形成超浅结结构。

2.如权利要求1所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第一离子为氟化亚硼离子。

3.如权利要求2所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入能量范围为10～30Kev，剂量范围为1E15～3E15/cm²。

4.如权利要求1所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述的第二离子是四价离子。

5.如权利要求4所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第二离子的注入能量范围为30～60Kev，剂量范围为1E15～9E15/cm²。

6.如权利要求1所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第三离子为硼离子。

7.如权利要求6所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述硼离子的注入能量为注入能量范围为0.5～12Kev，剂量范围为1E13～1E14/cm²。

8.一种PMOS晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，其中，位于所述栅极结构的两侧的衬底为源区和漏区；

以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行第一离子注入，形成第一注入区；

以所述栅极结构为掩膜，对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；

以所述栅极结构为掩膜，对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，形成超浅结结构。

9.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子为氟化亚硼离子。

10.如权利要求9所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入能量范围为10～30Kev，剂量范围为1E15～3E15/cm²。

11.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述的第二离子是四价离子。

12.如权利要求11所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二离子的注入能量范围为30～60Kev，剂量范围为1E15～9E15/cm²。

13.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三离子为硼离子。

14.如权利要求13所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三离子的注入能量为0.5～12Kev，剂量范围为1E13～1E14/cm²。