[发明专利]用于改善环形振荡器频率变动的低噪声基准电压产生电路

权利要求书

1.一种用于改善环形振荡器的频率变动的低噪声基准电压 产生电路，其特征在于所述低噪声基准电压产生电路包括：

电流发生部，用来产生与绝对温度成正比的电流；

电压变换部，用来将所述电流转换为一电压并输出到线性调 节器，所述电压变换部是由电流镜构成的晶体管与二极管连接而 成，其中所述线性调节器用来调整所述低噪声基准电压产生电路 所生成的所述电压；以及

电源抑制比改善电阻，其一端连接于所述晶体管的一端子， 用于改善电源电压的变动性。

2.根据权利要求1所述的低噪声基准电压产生电路，其特征 在于：所述电流发生部包括：

第一及第二负反馈电阻，所述第一负反馈电阻的一端子及所 述第二负反馈电阻的一端子连接于所述电源电压；

第一P型金属氧化物半导体，所述第一P型金属氧化物半导 体的一端子连接于所述第一负反馈电阻；

第二P型金属氧化物半导体，所述第二P型金属氧化物半导 体的一端子连接于所述第二负反馈电阻，且与所述第一P型金属 氧化物半导体构成电流镜；

第一N型金属氧化物半导体，所述第一N型金属氧化物半 导体的一端子连接于所述第一P型金属氧化物半导体的另一端 子，所述第一N型金属氧化物半导体的另一端子通过电阻连接 于接地电源；以及

第二N型金属氧化物半导体，与所述第一N型金属氧化物 半导体构成电流镜，且输出所述电压，所述电压相对于与绝对温 度成正比的所述电流。

3.根据权利要求2所述的低噪声基准电压产生电路，其特征 在于：所述电压变换部在所述第二N型金属氧化物半导体的闸 极和汲极端子侧与二极管连接，使得所述电压变换部所变换的所 述电压从所述汲极端子输出。

4.根据权利要求3所述的低噪声基准电压产生电路，其特征 在于：所述与二极管连接的第二N型金属氧化物半导体的汲极 端子连接于所述线性调节器所具备的放大器的反相端子。

5.根据权利要求2、3或4所述的低噪声基准电压产生电路， 其特征在于：所述电源抑制比改善电阻连接于所述第二P型金属 氧化物半导体的另一端子和所述第二N型金属氧化物半导体的 汲极端子之间。

6.根据权利要求5所述的低噪声基准电压产生电路，其特征 在于：所述电源抑制比改善电阻的电阻值为所述第二N型金属 氧化物半导体电导的倒数。