[发明专利]光刻胶的去除方法无效
| 申请号： | 200910246311.5 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102073227A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 肖玉洁;朱旋;谢宝强;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底的表面上形成有光刻胶层；
使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第一步灰化，第一步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第一功率；
使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第二步灰化，第二步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第二功率，所述第二功率大于第一功率。
2.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第一功率的功率值为400W至1000W。
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第二功率的功率值为2000W至3000W。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，还包括使用硫酸溶液和氨水溶液分别对所述半导体基底的表面进行清洗。
5.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第一步灰化中氧气等离子体的流量为500至1500sccm。
6.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第二步灰化中氧气等离子体的流量为500至1500sccm。
7.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第一步灰化的持续时间为30s至60s。
8.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第二步灰化的持续时间为5s至10s。
9.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述激励源为射频源或微波源。
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