[发明专利]元件装配用基板及其制造方法、半导体模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910246345.4 申请日: 2009-11-27
公开(公告)号: CN101853841A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 柳瀬康行;斋藤浩一 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/12;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 元件 装配 用基板 及其 制造 方法 半导体 模块
【说明书】:

技术领域

发明涉及元件装配用基板及其制造方法、半导体模块及其制造方法和携带式机器。特别是涉及能够利用倒装片安装方法来装配半导体元件的元件装配用基板及其制造方法和包含该元件装配用基板的半导体模块等。

背景技术

近年来,随着电子机器的小型化和高功能化而电子设备所使用的半导体元件被要求进一步小型化。为了实现这点,尽管半导体元件电极之间的窄间距化是必须的,但焊球自身的大小和焊接时产生桥接等成为制约,使外部连接电极窄间距化进行的小型化有界限。作为用于克服这种界限的结构是把用膏在金属箔上形成的突起结构作为电极或过孔,经由环氧树脂等绝缘树脂把半导体元件向金属板安装,把半导体元件的电极与突起结构连接,这种结构被知晓。

但现有结构中把前端呈尖锐的突起结构向半导体元件的电极压接并把突起结构的前端压溃而把突起结构与半导体元件的电极接合。因此,在把突起结构向半导体元件的电极压接时对电极作用有压力,有可能损伤半导体元件的电极。

对此,为了减少对半导体元件电极的压力而避免该电极的损伤,考虑使突起结构的顶部面变平坦。但在使突起结构的顶部面变平坦的情况下,经由绝缘树脂把突起结构与半导体元件的电极接合时,有可能在突起结构与电极的接合面处残留绝缘树脂而降低两者的连接可靠性。

发明内容

本发明的优点之一在于,在把与配线层设置成一体的突起电极与设置在半导体元件的元件电极连接的结构中,能够提高突起电极与元件电极的连接可靠性。

本发明的一形态是元件装配用基板。该元件装配用基板具备:绝缘树脂层、绝缘树脂层的一个主表面设置的配线层、与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极,突起电极具有大致凸状的顶部面,且至少顶部面的周边区域是曲面形状。

在上述形态中,优选的是,周边区域是与配线层的突起电极突出侧的面的距离朝向周边缘变小的曲面形状。

在上述形态中,优选的是,突起电极包括:与配线层连接的突起部和向突起部的顶部面层合的至少一层金属层,处于最表层金属层的与突起部相对侧的面是大致凸状,至少该面的周边区域是曲面形状。

在上述形态中,优选的是,包含两层以上的金属层,与突起部相接的金属层的与突起部相对侧的面是大致凸状,至少该面的周边区域是曲面形状。

本发明的其他形态是半导体模块。该半导体模块包括:元件装配用基板,其具备绝缘树脂层、绝缘树脂层的一个主表面设置的配线层、与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极;半导体元件,其设置有与突起电极接合的元件电极,突起电极与元件电极的接合部的周边区域中两电极之间的距离从接合部朝向外侧逐渐变大。

本发明的又其他形态是携带式机器。该携带式机器装配着上述形态的半导体模块。

本发明的又其他形态是元件装配用基板的制造方法。该元件装配用基板的制造方法把绝缘树脂层与配线层层合,其中,包括:准备在一个主表面设置有突起部的配线层用金属板的工序;形成突起电极的工序,其使用在突起部的顶部面开口的掩模并在抑制该顶部面的周边区域镀层反应的条件下对该顶部面实施镀层处理,在顶部面设置具有周边区域的层厚度比中央区域的层厚度薄的曲面形状的金属层,以形成具有大致凸状顶部面的突起电极。

本发明的又其他形态还是元件装配用基板的制造方法。该元件装配用基板的制造方法把绝缘树脂层与配线层层合,其中,包括形成突起电极的工序:把向金属板一个主表面的规定位置层合的抗蚀剂作为掩模而把该一个主表面进行各向同性的过蚀刻,以形成具有大致凸状的顶部面且至少顶部面的周边区域是曲面形状的突起电极。

本发明的又其他形态是半导体模块的制造方法。该半导体模块的制造方法包括:在金属板的一个主表面形成具有大致凸状的顶部面且至少顶部面的周边区域是曲面形状的突起电极的工序、把金属板和设置有与突起电极对应的元件电极的半导体元件经由绝缘树脂层压接而把突起电极与元件电极接合的接合工序、有选择地把金属板除去以形成配线层的工序。

在上述形态的接合工序中,也可以使突起电极贯通绝缘树脂层而到达元件电极的表面,两电极的接合部从中央区域向周边区域扩展地来接合突起电极和元件电极。

附图说明

图1是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块结构的概略剖视图;

图2是图1突起电极近旁的局部放大概略剖视图;

图3A~图3D是表示实施例1半导体模块制造方法的工序剖视图;

图4A~图4D是表示实施例1半导体模块制造方法的工序剖视图;

图5A~图5C是表示实施例1半导体模块制造方法的工序剖视图;

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