[发明专利]半导体装置制造用薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造用薄膜，其特征在于，其是在层叠薄膜上贴 合了覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其中，

对所述覆盖薄膜在其长边方向上施加拉伸张力并在其已被拉伸的状 态下将其贴合于所述层叠薄膜，

相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度 23±2℃、相对湿度55±5％下放置24小时后的层叠薄膜的在长边方向及 宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内，

所述收缩率(％)＝[(贴合前的MD方向或TD方向的距离)-(贴 合后的MD方向或TD方向的距离)/(贴合前的MD方向或TD方向的 距离)]×100，

所述层叠薄膜为：在基材上设置有粘合剂层的切割薄膜的该粘合剂层 上设置有胶粘剂层的层叠薄膜，或者

所述半导体装置用薄膜为在基材上层叠有胶粘剂层和覆盖薄膜的薄 膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用薄膜，其中，

所述胶粘剂层中的高分子树脂成份的玻璃化温度处于-20～50℃的 范围内，固化前的23℃下的拉伸贮存弹性模量处于50～2000MPa的范围 内。

3.根据权利要求1所述的半导体装置制造用薄膜，其中，

所述切割薄膜的粘合剂层为紫外线固化型，使所述粘合剂层发生紫外 线固化之后的23℃下的切割薄膜的拉伸弹性模量处于1～170MPa的范围 内。

4.一种半导体装置制造用薄膜的制造方法，其是在层叠薄膜上层叠 了覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其特征在于，

对所述覆盖薄膜在其长边方向上施加拉伸张力并在其已被拉伸的状 态下将其贴合于所述层叠薄膜，从而将剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2 ℃、相对湿度55±5％下放置24小时后的层叠薄膜的在长边方向及宽度 方向的收缩率调节成相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜处于0～2％的 范围内，

所述收缩率(％)＝[(贴合前的MD方向或TD方向的距离)-(贴 合后的MD方向或TD方向的距离)/(贴合前的MD方向或TD方向的 距离)]×100，

所述层叠薄膜为：在基材上设置有粘合剂层的切割薄膜的该粘合剂层 上设置有胶粘剂层的层叠薄膜，或者

所述半导体装置用薄膜为在基材上层叠有胶粘剂层和覆盖薄膜的薄 膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其中，

所述层叠薄膜是通过如下步骤制作的：将在基材上层叠有粘合剂层的 切割薄膜与在基材隔膜上层叠有胶粘剂层的芯片接合薄膜贴合成所述粘 合剂层与胶粘剂层成为相贴合的面，进而，从所述胶粘剂层剥离所述基材 隔膜，从而制作层叠薄膜。

6.根据权利要求4所述的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其中，

将所述覆盖薄膜拉伸成在长边方向上相对其初期状态成为1.001～1.1 倍后，贴合于所述层叠薄膜。