[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括局部化绝缘体上硅结构，所述方法包括以下步骤：

在体基底的第一区域中形成一个或多个主体图案；

通过蚀刻所述一个或多个主体图案的下部区域，将体基底的第一区域划分成下部体基底区域和浮置主体区域；

用绝缘材料填充浮置主体区域与下部体基底区域之间的区域。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在体基底中形成第一阱，

其中，体基底属于第一导电类型，第一阱包括体基底的第一区域。

3.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在体基底中形成第二导电类型的第二阱；

在第二阱中形成第一导电类型的第三阱，

其中，形成第一阱的步骤包括在第二阱中形成第一导电类型的第一阱。

4.如权利要求3所述的方法，其中，第一阱和第三阱彼此隔开。

5.如权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在第二阱的区域上形成第一外围器件；

在第三阱的区域上形成第二外围器件；

在浮置主体区域上形成单晶体管动态随机存取存储器单元。

6.如权利要求5所述的方法，其中，外围器件包括n沟道金属-氧化物半导体晶体管和p沟道金属-氧化物半导体晶体管中的一个。

7.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在体基底中形成第二导电类型的第二阱；

在第二阱中形成第一导电类型的第三阱，

其中，形成第一阱的步骤包括在第三阱中形成第二导电类型的第一阱。

8.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在所述一个或多个主体图案的侧壁上形成多个绝缘区域，

其中，划分体基底的第一区域的步骤包括在所述一个或多个主体图案上形成掩模并通过掩模暴露所述一个或多个主体图案的底表面，

蚀刻所述一个或多个主体图案的下部区域的步骤包括用通过所述底表面进行蚀刻的各向同性蚀刻剂选择性地蚀刻所述下部区域，

所述蚀刻剂蚀刻所述多个绝缘区域的速率比所述蚀刻剂蚀刻所述一个或多个主体图案的速率慢。

9.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在体基底中形成多个阱，

其中，体基底属于第一导电类型。

10.如权利要求9所述的方法，其中，形成多个阱的步骤包括：在体基底中形成第二导电类型的第一阱，在第一阱中于体基底的第二区域形成第一导电类型的第二阱，并在第一阱中于体基底的第一区域形成第一导电类型的的第三阱。

11.如权利要求9所述的方法，其中，形成多个阱的步骤包括以下步骤：

在体基底的第二区域中形成第二导电类型的第一阱，

在第一阱中形成第一导电类型的第二阱，

在第二阱中形成第二导电类型的第三阱。

12.如权利要求9所述的方法，其中，浮置主体区域与所述多个阱隔开。

13.一种包括局部化绝缘体上硅结构的半导体装置，包括：

第一导电类型的体基底的第一基底区域；

在第一基底区域中的绝缘区域；

在绝缘区域上的浮置主体区域，其中，浮置主体区域通过绝缘区域与第一基底区域隔开，浮置主体区域和第一基底区域包含具有类似特性的材料。

14.如权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一导电类型的体基底中的第一阱，第一阱包括第一基底区域。

15.如权利要求14所述的半导体装置，所述半导体装置还包括第二导电类型的第二阱和在第二阱中的第一导电类型的第三阱，其中，第一阱属于第一导电类型并在第二阱中，第一阱与第三阱隔开。

16.如权利要求14所述的半导体装置，所述半导体装置还包括第二导电类型的第二阱和在第二阱中的第一导电类型的第三阱，其中，第一阱属于第二导电类型并在第三阱中。

17.如权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第二基底区域中的多个阱。