[发明专利]微机电系统芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200910246797.2 申请日: 2009-12-01
公开(公告)号: CN102079500A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 王傅蔚;李昇达;徐新惠;王维中 申请(专利权)人: 原相科技股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 微机 系统 芯片 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种微机电系统芯片,其特征在于,包含:

第一基板,其具有相对的第一表面与第二表面;

位于第一表面的微电子电路元件区;

位于第二表面的第一微机电元件区;以及

将该微电子电路元件区与该第一微机电元件区电性连接的导线结构,其中该导线结构为直通硅晶穿孔方法所形成。

2.如权利要求1所述的微机电系统芯片,其中,该第一基板为硅晶绝缘体材料。

3.如权利要求2所述的微机电系统芯片,其中,该第一微机电元件区中包含一动件,该动件由该硅晶绝缘体材料中的硅晶部份所形成。

4.如权利要求1所述的微机电系统芯片,其中,还包含一包覆层,包覆该第一微机电元件区。

5.如权利要求1所述的微机电系统芯片,其中,还包含一第二基板,与该第一基板接合,此第二基板包含第二微机电元件区,与前述第一微机电元件区构成微机电元件而提供组合性的功能,其中,该第二基板与该导线结构电性连接。

6.一种微机电系统芯片的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:

提供一第一基板,其具有相对的第一表面与第二表面;

于该第一表面上,形成微电子电路元件区;

形成穿越第一基板的导线结构;

于该第二表面上,形成第一微机电元件区;以及

使微电子电路元件区与第一微机电元件区通过该导线结构而电连接,

其中该形成微电子电路元件区、形成穿越第一基板的导线结构、与形成第一微机电元件区的步骤可为任意顺序。

7.如权利要求6所述的微机电系统芯片的制作方法,其中,该第一基板为硅晶绝缘体材料,且其中,该形成第一微机电元件区的步骤包括:蚀刻该硅晶绝缘体材料的硅晶部份与绝缘体部分,以形成可动件。

8.如权利要求6所述的微机电系统芯片的制作方法,其中,还包括:在形成微电子电路元件区前,先于该第二表面上形成保护层,且其中,形成穿越第一基板的导线结构的步骤包括:

于该第二表面上,移除该保护层;

形成穿越该第一基板的穿孔;

填入阻障材料;以及

填入导体材料。

9.如权利要求6所述的微机电系统芯片的制作方法,其中,还包括:

于形成第一微机电元件区后,形成包覆层,包覆该第一微机电元件区。

10.如权利要求6所述的微机电系统芯片的制作方法,其中,还包括:

提供一第二基板;

于第二基板上形成第二微机电元件区;

接合该第二基板与前述第一基板,使该第二微机电元件区与前述第一微机电元件区功能连接。

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