[发明专利]光学式侦测方法、光学式微机电侦测计及其制法

权利要求书

1.一种光学式微机电侦测计，其特征在于，包含：

一个基板；

在该基板一区域内的至少一个光电二极管；

位在该基板上方的隔离壁，包围该光电二极管区域；以及

在该光电二极管上方的至少一个动件，该至少一个动件具有开孔可容许光线穿越到达光电二极管，其中于该至少一个动件移动时，改变穿越该开孔到达光电二极管的光量。

2.如权利要求1所述的光学式微机电侦测计，其中，还包含一个覆盖于该基板上方的透光层。

3.如权利要求1或2所述的光学式微机电侦测计，其中，还包含一个光学元件，以导引光线进入该至少一个动件的开孔中，以及一个发光源，使该光学式微机电侦测计接收稳定的光线。

4.如权利要求1所述的光学式微机电侦测计，其中，包含多个光电二极管区域，由多个隔离壁分隔，该多个光电二极管区域的尺寸不完全相同。

5.如权利要求4所述的光学式微机电侦测计，其中，该多个隔离壁中至少一个隔离壁内包围多个光电二极管区域。

6.如权利要求1所述的光学式微机电侦测计，其供侦测加速度计之用。

7.一种光学式微机电侦测计的制法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一个基板；

在该基板一区域内形成至少一个光电二极管；

在该基板上方形成隔离壁，包围该光电二极管区域；以及

在该光电二极管上方形成至少一个动件，该至少一个动件具有开孔可容许光线穿越到达光电二极管，其中于该至少一个动件移动时，改变穿越该开孔到达光电二极管的光量。

8.如权利要求7所述的光学式微机电侦测计的制法，其中，该形成隔离壁的步骤包含：沉积并定义多层不透光材料层，构成隔离壁，其中于形成隔离壁时亦形成该至少一个动件。

9.如权利要求7所述的光学式微机电侦测计的制法，其中，还包含：

在该基板上方沉积第一透光层；以及

以计时的方式蚀刻该第一透光层，使该基板上方保留部分的第一透光层。

10.如权利要求7所述的光学式微机电侦测计的制法，其中，还包含：

在该基板上方沉积第一透光层；

在该第一透光层上方沉积蚀刻终止层，其中，该蚀刻终止层的材料包含无晶硅或氮化硅；

在该蚀刻终止层上方沉积第二透光层；

蚀刻该第二透光层；以及

蚀刻该蚀刻终止层。

11.一种光学式侦测方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一个侦测计，其包括至少一个光电二极管与位在该光电二极管上方的至少一个动件，该至少一个动件具有开孔，可容许光线穿越到达该光电二极管；

于该至少一个动件移动时，改变穿越该开孔到达光电二极管的光量；以及

根据光电二极管所接收光量的改变，判断该侦测计是否移动及其移动量。

12.如权利要求11所述的光学式侦测方法，其中，还包含：提供一个发光源，使该侦测计接收稳定的光线。

13.如权利要求11所述的光学式侦测方法，其中，还包含：使该至少一个动件垂直移动，当其垂直移动而靠近光电二极管时，减少光电二极管所接收光量，当其垂直移动而远离光电二极管时，增加光电二极管所接收光量。

14.如权利要求11所述的光学式侦测方法，其中，还包含：使该至少一个动件水平移动，当其遮蔽该光电二极管较大面积时，减少光电二极管所接收光量。