[发明专利]LLC变换器同步FET控制器及其操作方法

权利要求书

1.一种同步场效应晶体管(FET)功率控制器，包括：

第一整流FET；

耦合到所述第一整流FET的第一驱动器，其被配置为：

(a)如果所述第一驱动器感测到所述第一整流FET的激活体二极管导通电流，则激活所述第一整流FET，以及

(b)如果所述第一驱动器接收到第一去激活信号，则去激活所述第一整流FET；以及

第一主FET，其被通过所述第一去激活信号的延迟去激活；并且其中，所述延迟减小所述第一整流FET的去激活体二极管导通电流的导通时间的持续时间。

2.如权利要求1的功率控制器，其中所述第一去激活信号的所述延迟使所述第一整流FET的所述去激活体二极管导通电流的所述导通时间的所述持续时间最小化。

3.如权利要求1的功率控制器，其中所述第一去激活信号的所述延迟是可编程的。

4.如权利要求1的功率控制器，其中所述驱动器被配置为：如果所述驱动器感测到作为去激活体二极管导通电流的体导通电流，则不激活所述整流FET。

5.如权利要求1的功率控制器，其中所述第一整流FET的所述激活体二极管导通电流在所述第一主FET之前和在所述第一整流FET被激活之前开始。

6.如权利要求1的功率控制器，进一步包括：

第二整流FET；

耦合到所述第二整流FET的第二驱动器，其被配置为：

(a)如果所述第二驱动器感测到所述第二整流FET的第二激活体二极管导通电流，则激活所述第二整流FET，以及

(b)如果所述第二驱动器接收到第二去激活信号，则去激活所述第二整流FET；以及

第二主FET，其被所述第二去激活信号的第二延迟去激活，其中，所述第二延迟减小了所述第二整流FET的第二去激活体二极管导通电流的导通时间的持续时间。

7.如权利要求6的功率控制器，其中所述第一主FET和所述第二主FET不同时激活。

8.如权利要求6的功率控制器，进一步包括压控振荡器，其耦合到所述第一和第二整流FET以产生所述去激活信号。

9.如权利要求1的功率控制器，进一步包括：所述第一整流FET在所述第一整流FET被所述第一驱动器激活后具有沟道导通路径。

10.如权利要求1的功率控制器，其中所述FET包括金属氧化物半导体场效应晶体管(“MOSFET”)。