[发明专利]用于应力SiN薄膜的氨基乙烯基硅烷前体有效
| 申请号： | 200910246836.9 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101899651A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | V·沃萨;A·D·约翰逊;萧满超 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/36;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘锴;林森 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 应力 sin 薄膜 氨基 乙烯基 硅烷 | ||
1.一种提高在氮化硅(SiN)和碳氮化硅(SiCN)薄膜的等离子增强化学气相沉积(PECVD)中的本征压应力的方法，包括从基于氨基乙烯基硅烷的前体沉积所述薄膜。
2.权利要求1的方法，其中所述基于氨基乙烯基硅烷的前体选自式：
[RR1N]xSiR3y(R2)z
其中x+y+z＝4，x＝1-3，y＝0-2以及z＝1-3；R、R1和R3可以是氢、C1-C10烷烃、烯烃或C4-C12芳香基团；各个R2为乙烯基、烯丙基或包含乙烯基的官能团。
3.权利要求2的方法，其中所述基于氨基乙烯基硅烷的前体选自双(异丙基氨基)乙烯基甲基硅烷(BIPAVMS)、双(异丙基氨基)二乙烯基硅烷(BIPADVS)及其混合物。
4.权利要求1的方法，其中所述压应力薄膜具有-4 GPa或更高的压应力。
5.权利要求1的方法，其中含氮反应物与所述基于氨基乙烯基硅烷的前体反应。
6.权利要求5的方法，其中所述含氮反应物选自氨气、氮气及其混合物。
7.权利要求1的方法，其中所述沉积在500℃或低于500℃的升高温度下进行。
8.权利要求1的方法，其中所述沉积在稀释气体的存在下进行，所述稀释气体选自氦气、氩气、氖气、氙气及其混合物。
9.权利要求1的方法，其中所述基于氨基乙烯基硅烷的前体的流速为50到1000mg/min。
10.权利要求5的方法，其中所述含氮反应物的流速为500到10,000mg/min。
11.权利要求8的方法，其中所述稀释气体的流速为50到50,000mg/min。
12.权利要求1的方法，其中所述沉积薄膜具有-700到-2400MPa的压应力。
13.权利要求1的方法，其中所述沉积薄膜具有25到85的N-H对Si-H比值。
14.权利要求1的方法，其中所述沉积薄膜具有3.3到3.6范围的衍生于N-H的H含量/cm3×1022。
15.权利要求1的方法，其中所述沉积薄膜具-700到-4500MPa的压应力。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
