[发明专利]半导体元件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910246925.3 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101714540A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 资重兴 | 申请（专利权）人： | 杰群科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/29;H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 英属维京群*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体元件，其特征在于包括有：
一导电架；
一晶粒，设置在该导电架上；及
一粘合层，设置在该导电架及该晶粒之间，其中该粘合层内包括有铝。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于包括有一金属层设置在该导电架及该粘合层之间。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于包括有一背金属层设置在该晶粒及该粘合层之间。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于包括有一背金属层设置在该晶粒及该粘合层之间。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于该晶粒包括有一主动表面及一背表面，并将一焊垫及一焊球依序设置在该主动表面上。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于包括有一焊线连接该焊球。
7.一种半导体元件，其特征在于包括有：
一基板；
一晶粒，设置在该基板上；及
一粘合层，设置在该基板及该晶粒之间，其中该粘合层内包括有铝。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于包括有一金属层设置在该基板及该粘合层之间。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于包括有一背金属层设置在该晶粒及该粘合层之间。
10.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于包括有一背金属层设置在该晶粒及该粘合层之间。
11.一种半导体元件的制作方法，其特征在于包括有以下步骤：
在一基板或一导电架上形成一粘合层，其中该粘合层内包括有铝；及
将一晶粒设置在该粘合层上。
12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于该粘合层是由一电镀技术或一超音波接合技术所形成。
13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于该晶粒透过一超音波接合技术与该粘合层相连接。
14.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于包括有以下步骤：在该粘合层及该导电架或该基板之间形成一金属层。
15.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于包括有以下步骤：在该粘合层及该晶粒之间形成一背金属层。
16.一种半导体元件的制作方法，其特征在于包括有以下步骤：
在一晶粒上形成一粘合层，其中该粘合层内包括有铝；及
将该粘合层与一导电架或一基板连接。
17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于该粘合层是由一电镀技术或一超音波接合技术所形成。
18.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于该粘合层透过一超音波接合技术与该导电架或该基板相连接。
19.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于包括有以下步骤：在该粘合层及该导电架或该基板之间形成一金属层。
20.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于包括有以下步骤：在该粘合层及该晶粒之间形成一背金属层。
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