[发明专利]晶片键合方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

提供具有正面、背面和第一边缘部分的器件衬底；

在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层；

修剪所述第一边缘部分；

移除所述材料层；

将所述器件衬底的正面键合到所述载体衬底；

从背面减薄所述器件衬底；和

修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件是背面照明图像传感器。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述器件衬底的正面之上形成互连结构；

在所述互连结构之上形成缓冲层；

在键合之后对半导体器件退火；

在减薄的器件衬底的背面的上方形成彩色滤光层；和

在所述彩色滤光层的上方形成微透镜层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，修剪第二边缘部分的步骤包括移除缓冲层的一部分和载体衬底的一部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中，修剪第一边缘部分的步骤包括移除覆盖在第一边缘部分上方的材料层的一部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中，材料层的形成基本覆盖器件衬底的整个正面。

7.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

提供具有前表面、后表面和边缘区域的器件衬底；

形成基本覆盖前表面的材料层；

修剪包括覆盖在所述边缘区域上方的材料层的边缘区域；

移除所述材料层；和

将器件衬底的前表面键合到载体衬底。

8.如权利要求1或7所述的方法，其中，所述材料层包括光致抗蚀剂、带、CVD膜、PVD膜、高级构图膜、蜡、可重复使用的模板膜和玻璃中的一种。

9.如权利要求1或7所述的方法，其中，移除材料层的步骤包括剥除、冲洗、紫外光暴露、去布带和应用机械力中的一种。

10.如权利要求7所述的方法，还包括在键合之后从背面减薄器件衬底。

11.如权利要求7所述的方法，其中，修剪边缘区域的步骤包括削磨、抛光、或激光切割。

12.如权利要求7所述的方法，其中，修剪边缘区域的步骤仅移除边缘区域的一部分，或者修剪边缘区域的步骤基本移除整个边缘区域。

13.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

提供具有正面和背面的器件衬底；

将所述器件衬底的正面键合到载体衬底；

从背面减薄所述器件衬底；和

修剪减薄的器件衬底的边缘部分。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述键合器件衬底的正面的步骤包括在器件衬底和载体衬底之间形成缓冲层。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述修剪边缘部分的步骤包括削磨、抛光、去布带、应用能束、或选择性腐蚀中的一种。