[发明专利]嵌入式半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200910247207.8 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110652A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 居建华;神兆旭;王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种嵌入式半导体器件的制作方法，该方法包括：
提供一晶圆，在晶圆的衬底内形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离区STI，并在有源区内按照低功耗型半导体器件的栅氧化层的预定厚度分别形成低功耗型半导体器件的N型金属氧化物半导体NMOS管、低功耗型半导体器件的P型金属氧化物半导体PMOS管的栅氧化层，按照常规型半导体器件的栅氧化层的预定厚度分别形成常规型半导体器件的NMOS管、常规型半导体器件的PMOS管的栅氧化层；
在栅氧化层之上分别形成低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极，其中，低功耗型半导体器件的NMOS管和低功耗型半导体器件的PMOS管栅极大于预定宽度；
分别对低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极进行预掺杂；
分别在低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极两侧的衬底上进行轻掺杂漏LDD注入，其中，低功耗型半导体器件的NMOS管和低功耗型半导体器件的PMOS管的LDD注入的剂量小于预定剂量；
在低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极两侧分别形成外侧墙；
分别在低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的外侧墙两侧的半导体衬底上进行离子注入，形成低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的漏极和源极；
采用应力记忆工艺在低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极下方的沟道中产生张应力。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低功耗型半导体器件的NMOS管和低功耗型半导体器件的PMOS管栅极大于预定宽度的10至20纳米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低功耗型半导体器件的NMOS管和低功耗型半导体器件的PMOS管的LDD注入的剂量小于预定剂量的5％至10％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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