[发明专利]形成超薄可控的金属硅化物的方法

权利要求书

1.一种形成厚度可控的金属硅化物的方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)在硅衬底上沉积一薄层金属，该金属向衬底进行扩散；

(2)去除衬底表面剩余的金属；

(3)进行退火，形成金属硅化物薄层；

其中，步骤(1)和步骤(2)重复一次或多次，或者步骤(1)、步骤(2)和步骤(3)重复一次或多次，直到金属硅化物薄层的最终厚度达到预期的要求为止；

上述步骤中，硅衬底上沉积的金属为镍、钴、钛或铂；沉积时的衬底温度0～300℃内选择，退火温度为200℃～900℃；金属硅化物层的最终厚度为2～20nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)沉积金属时，还掺入第二金属铂，形成铂-金属硅化物，记为M_1-xPt_xSi，其中，M为金属，x≤0.5。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于在步骤(1)沉积金属或金属-铂合金时，还加入第三金属钨和/或钼。

4.根据权利要求1～3之一所述的方法，其特征在于对衬底沉积金属之前或之后注入碳、氮、氧中的一种或几种，碳、氮或氧的掺入量为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm^-2硅衬底面积。

5.根据权利要求1～4之一所述的方法，其特征在于所述的衬底材料还采用锗化硅、锗、绝缘层上硅或绝缘层上锗。