[发明专利]改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法无效
| 申请号： | 200910247418.1 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110636A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;杨林宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 沟道 效应 制作 mos 晶体管 方法 | ||
1.一种改善反窄沟道效应的方法，其特征在于，包括：
提供依次形成有浅沟槽的半导体衬底，所述浅沟槽内壁形成有衬氧化层；
对浅沟槽侧壁进行有角度的离子注入。
2.根据权利要求1所述改善反窄沟道效应的方法，其特征在于，所述离子注入与半导体衬底垂直方向的角度为20°～45°。
3.根据权利要求2所述改善反窄沟道效应的方法，其特征在于，所述离子注入能量为小于等于100Kev，注入剂量为小于等于1014/cm2。
4.一种制作MOS晶体管的方法，其特征在于，包括：
提供依次形成有浅沟槽的半导体衬底，所述浅沟槽内壁形成有衬氧化层；
对浅沟槽侧壁进行有角度的离子注入；
向浅沟槽内填充满绝缘氧化层；
去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构之间的区域为有源区；
在有源区依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；
以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进离子注入，形成源/漏极延伸区；
在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。
5.根据权利要求4所述制作MOS晶体管的方法，其特征在于，所述离子注入与半导体衬底垂直方向的角度为20°～45°。
6.根据权利要求5所述制作MOS晶体管的方法，其特征在于，所述离子注入能量为小于等于100Kev，注入剂量为小于等于1014/cm2。
7.根据权利要求6所述制作MOS晶体管的方法，其特征在于，所述MOS晶体导电类型为n型，注入离子是p型离子。
8.根据权利要求6所述制作MOS晶体管的方法，其特征在于，所述MOS晶体导电类型为p型，注入离子是n型离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
