[发明专利]相变存储器的写优化电路及其写优化方法

权利要求书

1.一种相变存储器的写优化电路，其特征在于，所述写优化电路包括：写优化 控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振 荡器电路以及相变存储器电路；

所述写优化控制电路与脉冲控制电路、修调电路连接，修调电路与脉冲 控制电路、可变电流源电路连接，脉冲控制电路与振荡器电路、可变电流源 电路连接，可变电流源电路与相变存储器电路连接，数据读出电路与相变存 储器电路、修调电路连接；

在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块， 对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源 电路进行写Reset操作，操作的结果由数据读出电路读出；

数据读出电路的读出结果控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电 路是否还要发写脉冲；数据读出电路的读出结果同时控制修调电路是否要对 电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来；

所述修调电路包括逻辑修调电路、电荷泵电路；

所述逻辑修调电路由数据读出电路的输出结果和读出脉冲延迟共同控制 电荷泵电路进行修调；

如果相变存储器电路写Reset成功，数据读出电路发出一个高电平，控 制电荷泵发出一个高压脉冲使修调电路发生修调；

其中，所述Reset是指相变材料GST从低阻状态变为高阻状态；

所述可变电流源电路的电流由脉冲控制电路发出的脉冲、修调电路的输 出控制；所述可变电流源电路的电流是逐次增加的。

2.根据权利要求1所述的相变存储器的写优化电路，其特征在于：

所述脉冲控制电路包括计数器电路和编码电路；

所述修调电路发生修调后输出信号控制编码电路，编码电路的输出控制 可变电流源电路。

3.根据权利要求2所述的相变存储器的写优化电路，其特征在于：

所述写优化控制电路控制所述计数器电路；

在修调电路没有修调前，写优化控制电路使脉冲控制电路和振荡器电路 工作，脉冲控制电路发出脉冲控制电流源电路；

修调发生后，写优化控制电路发出的信号使脉冲控制电路和振荡器电路 不再工作，系统的优化已经完成。

4.根据权利要求1所述的相变存储器的写优化电路，其特征在于：

所述写优化控制电路包括开关S1、开关S2、反相器，开关S1与开关S2 串联，反相器的输入端接入开关S1与开关S2之间。