[发明专利]红外焦平面探测器封装窗口及其制作方法无效
申请号: | 200910247646.9 | 申请日: | 2009-12-30 |
公开(公告)号: | CN102117842A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 周东平;赵培 | 申请(专利权)人: | 上海欧菲尔光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 200434 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 平面 探测器 封装 窗口 及其 制作方法 | ||
1.一种红外焦平面探测器封装窗口,其特征在于:包括基片,基片正面的中间部分镀制有用于波长截止的红外光学薄膜,基片背面的中间部分镀制有用于波长截止的红外光学薄膜,四周镀制有用于封装的金属薄膜。
2.如权利要求1所述的红外焦平面探测器封装窗口,其特征在于:所述的基片选用Ge、Si、ZnS或ZnSe制作,所述的红外光学薄膜选用Ge、PbTe、ZnSe或ZnS中的一种或几种镀制。
3.如权利要求1所述的红外焦平面探测器封装窗口,其特征在于:所述的金属薄膜包括底层铆定层、中间阻隔层和表面焊接层;铆定层选用Cr或Ti镀制;阻隔层选用Ni、Pt或Pd镀制;焊接层用Au镀制。
4.如权利要求3所述的红外焦平面探测器封装窗口,其特征在于:所述的构成金属薄膜的底层铆定层、中间阻隔层和表面焊接层的镀制厚度分别为:底层铆定层10~70nm;中间阻隔层50~900nm;表面焊接层50~4000nm。
5.如权利要求1所述的红外焦平面探测器封装窗口的制作方法,其特征在于:在基片正面的中间部分用真空热蒸发方法镀制红外光学薄膜;在基片背面的中间部分用真空热蒸发方法镀制红外光学薄膜,四周用真空热蒸发方法镀制金属薄膜;
红外光学薄膜的镀制工艺条件为:
真空度1~8×10-4Pa;
温度:80~200℃;
蒸发速率:0.5~3nm/s;
金属薄膜的镀制工艺条件为:
真空度1~5×10-4Pa;
温度:60~200℃;
蒸发速率:0.3~3nm/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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