[发明专利]一种偶极分子修饰的介孔硅材料及其制备和应用有效

申请号：	200910247729.8	申请日：	2009-12-30
公开（公告）号：	CN101766816A	公开（公告）日：	2010-07-07
发明（设计）人：	祝迎春;李芳;阮启超	申请（专利权）人：	中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号：	A61K47/24	分类号：	A61K47/24
代理公司：	上海光华专利事务所 31219	代理人：	许亦琳;余明伟
地址：	200050上***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种分子修饰介孔硅材料及其制备应用
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【权利要求书】：

1.一种偶极分子修饰的介孔硅材料，其特征在于，由具有硅烷端基接枝的偶极分子与具有孔道结构的介孔硅通过硅氧键偶联制成，所述具有硅烷端基接枝的偶极分子占所述具有孔道结构的介孔硅总质量的0.05wt％～50wt％，所述具有孔道结构的介孔硅选自MCM-41 和SBA-15；所述具有硅烷端基接枝的偶极分子为[4-(3-苯甲腈)丁基]三乙氧基硅；所述偶极分子修饰的介孔硅材料的制备方法包括如下步骤：

(1)分别制备具有硅烷端基接枝的偶极分子原料与具有孔道结构的介孔硅原料；

(2)将步骤(1)中制备的原料混合，并进行反应，混合原料为摩尔比为1∶0.005～0.1的 MCM-41和[4-(3-苯甲腈)丁基]三乙氧基硅的混合物，或摩尔比1∶0.005～0.1的 SBA-15和[4-(3-苯甲腈)丁基]三乙氧基硅的混合物；反应在无水条件下进行，反应温度为0～100℃；

(3)反应产物清洗并干燥。

2.权利要求1所述的偶极分子修饰的介孔硅材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)分别制备具有硅烷端基接枝的偶极分子原料与具有孔道结构的介孔硅原料；

(2)将步骤(1)中制备的原料混合，并进行反应，混合原料为摩尔比为1∶0.005～0.1的 MCM-41和[4-(3-苯甲腈)丁基]三乙氧基硅的混合物，或摩尔比1∶0.005～0.1的SBA-15和 [4-(3-苯甲腈)丁基]三乙氧基硅的混合物；反应在无水条件下进行，反应温度为 0～100℃；

(3)反应产物清洗并干燥。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述具有硅烷端基接枝的偶极分子原料为偶极分子与硅烷端基在惰性气体保护下合成，合成温度为-90～0℃。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，干燥温度为30～240℃。

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