[发明专利]酚醛树脂为碳源的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200910247865.7 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102115330A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 黄政仁;陈健;刘学建;陈忠明;袁明;闫永杰;刘岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 酚醛树脂 碳源 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.酚醛树脂为碳源的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
(1)SiC粉体，B4C粉体和酚醛树脂为原料；B4C粉体占总量的0.1～1wt％，酚醛树脂占总量的5-30wt％；
(2)以水为溶剂，将原料配成40-45wt％的浆料，以SiC球作为研磨球，混合，烘干，粉碎，过筛，干压和/或等静压成型，脱粘后，在Ar气气氛下烧结。
2.按权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述SiC粉体和B4C粉体平均粒径为0.1～1μm。
3.按权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述酚醛树脂裂解残C率为40-60wt％，
4.按权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述原料∶SiC球质量比为1∶1～5；
5.按权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述干压压力为20MPa～100MPa。
6.按权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述等静压压力为100MP～500MPa；
7.按权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述烧结温度为1900-2300℃，保温时间为30-90min。
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