[发明专利]一种掺钛保偏光纤的制备方法无效
申请号: | 200910247896.2 | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN101759358A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 申云华;文雁平 | 申请(专利权)人: | 上海亨通光电科技有限公司 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018 |
代理公司: | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人: | 徐小蓉 |
地址: | 200436*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺钛保 偏光 制备 方法 | ||
1.一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征在于:在保偏光纤预制棒的制备过程中,采用化学气相沉积技术,在保偏光纤的芯部和外包层沉积二氧化钛,形成含二氧化钛成分的纤芯和外包层结构。
2.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:在保偏光纤的芯部沉积的二氧化钛含量不大于1.5%。
3.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:在保偏光纤的外包层沉积的二氧化钛含量不大于2%。
4.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:在应力棒的制备过程中,采用MCVD工艺制备,在应力棒中沉积含量为14-15%的氧化硼。
5.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:在沉积二氧化钛过程中,所使用的沉积原料为四氯化钛,其纯度不小于99.999%。
6.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:化学气相沉积中反应生成的二氧化钛与二氧化硅呈四面体网络结构。
7.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:制备光纤预制棒的基管采用掺二氧化钛含量不大于2%的高纯掺钛石英管。
8.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:制备光纤预制棒的基管采用普通光纤基管,并在基管内壁沉积二氧化钛含量不大于2%的的石英外包层。
9.根据权利要求1所述的一种掺钛保偏光纤的制备方法,其特征为:为保证保偏光纤的光学参数,在保偏光纤预制棒的内包层采用纯石英层或在纯石英层中掺入磷及氟。
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